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ROHM(罗姆)是一家知名的半导体元器件制造商，其生产的IGBT管在市场上备受欢迎。本文将介绍ROHM(罗姆)IGBT管前8热门型号。
1. RGS80TSX2DHRC11：该型号IGBT管采用沟槽场截止类型，功率为555W，集射极击穿电压为1.2kV，集电极电流为80A，封装为TO-247-3。
2. RGS80TSX2HRC11：该型号IGBT管采用沟槽场截止类型，功率为555W，集射极击穿电压为1.2kV，集电极电流为80A，封装为TO-247N。
3. RGT40NL65DGTL：该型号IGBT管采用沟槽场截止类型，功率为161W，集射极击穿电压为650V，集电极电流为40A，封装为LPDS。
4. RGTH60TS65DGC13：该型号IGBT管采用沟槽场截止类型，功率为194W，集射极击穿电压为650V，集电极电流为58A，封装为TO-247GE。
5. RGT50NS65DGTL：该型号IGBT管采用沟槽场截止类型，功率为194W，集射极击穿电压为650V，集电极电流为48A，封装为TO-263。
6. RGT00TS65DGC11：该型号IGBT管采用沟槽场截止类型，功率为277W，集射极击穿电压为650V，集电极电流为85A，封装为TO-247-3。
7. RGT30NS65DGTL：该型号IGBT管采用沟槽场截止类型，功率为133W，集射极击穿电压为650V，集电极电流为30A，封装为TO-263。
8. RGS30TSX2DHRC11：该型号IGBT管采用沟槽场截止类型，功率为267W，集射极击穿电压为1.2kV，集电极电流为30A，封装为TO-247N。
中芯巨能是ROHM(罗姆)的全系列半导体产品销售专家，提供ROHM(罗姆)全系列产品选型或者解决方案。中芯巨能还提供ROHM(罗姆)公司产品技术文档下载，并且是ROHM(罗姆)原厂代理商授权。中芯巨能保证每一颗芯片都来自源头，并且免费给终端客户提供样片测试。现货库存最快2小时发货。如有需要，请拨打24小时电话：13310830171（微信同号）。
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