8月12日MICROCHIP(美国微芯)N沟道场效应管前10热门型号汇总

前言：美国微芯(Microchip)是一家专注于半导体解决方案的公司，其场效应管产品在市场上备受青睐。这些产品具有多种特性，例如低电阻、高电流、高速开关和高温度容忍度等。它们被广泛应用于各种领域，如电源管理、马达控制、照明和无线通信等。此外，美国微芯的场效应管产品还具有低成本和高可靠性的优点，因此被广泛用于工业、汽车和消费电子等领域。总之，美国微芯的场效应管产品是半导体行业中备受信赖的解决方案之一。

8月12日MICROCHIP(美国微芯)场效应管前10热门型号具体如下：

1、DN3545N8-G：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：450V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：1.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20Ω@150mA,0V；封装：SOT-89-3。

2、DN3545N8-G：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：450V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：1.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20Ω@150mA,0V；封装：SOT-89-3。

3、DN3545N8-G：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：450V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：1.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20Ω@150mA,0V；封装：SOT-89-3。

4、DN3545N8-G：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：450V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：1.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20Ω@150mA,0V；封装：SOT-89-3。

5、DN2540N3-G：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：120mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25Ω@0V,120mA；封装：TO-92-3。

6、DN2540N3-G：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：120mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25Ω@0V,120mA；封装：TO-92-3。

7、DN2540N3-G：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：120mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25Ω@0V,120mA；封装：TO-92-3。

8、DN2540N3-G：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：120mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25Ω@0V,120mA；封装：TO-92-3。

9、DN2540N3-G：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：120mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25Ω@0V,120mA；封装：TO-92-3。

10、VP2206N3-G：类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：640mA 功率(Pd)：740mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@3.5A,10V；封装：TO-92-3。

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