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瑞萨ISL76671中文参数及应用注意事项详解 附原理图
发布时间：2026-02-15
ISL76671是瑞萨电子的一款高性价比光-电压硅基光学传感器，采用单芯片集成设计，将光电二极管阵列、非线性电流放大器及微功耗运算放大器整合于一体，兼具低成本、低功耗、高适配性的核心优势，专为弱光场景下的光线检测需求打造，广泛适配车载及各...
ISL58315（瑞萨电子激光二极管驱动器）中文参数、应用及注意事项详解 附原理图
发布时间：2026-02-15
ISL58315是一款高速三通道激光二极管驱动器（LDD），专为激光扫描投影系统量身打造，核心满足系统对三通道高速调制及独立电流控制的核心需求。该芯片每路输出通道均为阈值和彩色数模转换器（DAC）提供激光独立电流控制，搭配独立的缩放数模转换器，可分别...
ISL58797中文参数、应用及注意事项详解 附原理图
发布时间：2026-02-15
ISL58797是瑞萨电子一款高集成度单电源激光二极管驱动器，专为多标准可写光盘驱动器设计，可完美适配CD、DVD及蓝光（Blu-Ray）格式，支持多种读写速度，是光存储设备中的核心驱动器件。该芯片采用“混合式”设计，接口兼容传统激光二极管驱动器（LDD），内部...
ISL97901四通道LED驱动器技术特性及工程应用 附典型应用电路图
发布时间：2026-02-14
ISL97901作为瑞萨电子一款高集成度四通道序列LED驱动芯片，专为便携式LED显示设备设计，适配单节锂离子电池或最高5.5V稳压输入，可提供每通道1.5A驱动能力，能满足多场景LED驱动的工程需求，其核心优势集中在高效供电、精准控制及灵活适配三大维度，...
ISL58303：三通道高速激光二极管驱动器，助力微投影与ToF系统
发布时间：2026-02-13
在手持投影仪、智能手机以及飞行时间（ToF）测量系统中，激光光源的精确控制至关重要。瑞萨电子的 ISL58303 是一款专为色场序列激光光源设计的 高速三输出激光二极管驱动器，具备每通道最大800mA连续电流、峰值1200mA的能力，并支持多芯片联组以满...
瑞萨RAA2L6060 LiDAR控制与采集IC技术解析 附原理图
发布时间：2026-02-12
瑞萨电子RAA2L6060 （订购料号: RAA2L6060A3HNP#JA0）是一款专为车载及工业领域2D/3D目标检测与测距设计的LiDAR控制及数据采集IC，集成多通道LiDAR前端，基于飞行时间（ToF）原理工作，可高效实现环境目标检测与多维成像，适配近中程LiDAR、自动驾驶穿梭...
瑞萨RJK1002DPP-A0 Nch功率MOSFET技术解析 附引脚图
发布时间：2026-02-12
瑞萨RJK1002DPP-A0作为RJK系列Nch功率MOSFET，凭借100V耐压、70A导通电流及低导通电阻特性，广泛适配中高频开关场景，其工业级资质与紧凑封装设计，能满足多领域功率控制需求，是工程师选型中兼具可靠性与经济性的优选器件。瑞萨RJK1002DPP-A0 Nch...
RJK03M5DNS （瑞萨电子MOSFET）中文参数 附引脚图
发布时间：2026-02-10
RJK03M5DNS 是瑞萨电子一款30V 25A 6.3Mohm HWSON-8 N 沟道单功率 MOSFET ，瑞萨电子中国代理商-中芯巨能为您提供RJK03M5DNS：中文参数、引脚图、产品规格书及现货。RJK03M5DNS 中文参数FET 类型：N 通道漏源电压（Vdss）：30 V25°C 时电流 - 连续漏...
一颗LDO不够用？加个“智能搭档”VIOC，电源性能直接拉满！
发布时间：2026-02-08
在高精度电子设备中，比如医疗仪器、5G射频模块或高端音频设备，电源“干净”与否直接决定系统成败。低压差稳压器（LDO）因其超低噪声、高电源抑制比（PSRR），一直是这类场景的首选。但传统LDO有个“硬伤”：效率低、发热大——尤其当输入电压远高于输出...
热泵系统中的安森美智能功率模块(IPM)应用解析
发布时间：2026-02-08
热泵作为一种高效、环保的供暖和制冷解决方案，正在全球范围内迅速普及。它不仅能够利用低品位能源进行高效的热量转移，还具备显著的节能潜力。本文将深入探讨安森美（onsemi）推荐的热泵室外机方案，并详细介绍其中关键组件——智能功率模块（IPM）的...
RV1S9231A (瑞萨电子光电耦合器) 中文参数 附引脚图
发布时间：2026-02-08
RV1S9231A 是瑞萨电子一款2.5A 输出电流、高 CMR、IGBT 栅极驱动、5-Pin SSOP（LSSO5 具备 8.2mm 爬电距离）光电耦合器，瑞萨电子中国代理商-中芯巨能为您提供RV1S9231A：中文参数、引脚图、应用领域、产品规格书及现货。...
ADA4077（ ADI/亚德诺运算放大器）中文参数详解 附引脚图
发布时间：2026-02-07
ADA4077系列（包括单通道ADA4077-1、双通道ADA4077-2和四通道ADA4077-4）是 ADI/亚德诺一款超低失调、极低温漂、高共模抑制比（CMRR > 120 dB）以及无需补偿即可驱动1000 pF以上容性负载的能力的运算放大器。ADI代理、原厂货源 - 中芯巨能为您提...
8T49N241：高性能多输出频率转换器，满足现代通信与时序需求
发布时间：2026-02-07
在当今高速通信与数据处理领域，系统对时钟信号的高精度、低抖动和灵活性提出了越来越高的要求。瑞萨电子的8T49N241通用频率转换器，凭借其独特的分数反馈PLL架构，能够生成多达四路独立的高精度时钟信号，广泛应用于从SONET/SDH到以太网的各种高...
iW1702 （瑞萨电子数字离线控制器）中文参数 附引脚图及典型应用电路图
发布时间：2026-02-06
iW1702是瑞萨电子一款高效数字离线控制器，特别适用于需要9V及以上输出电压的应用。瑞萨电子代理商-中芯巨能为您提供iW1702：中文参数、引脚图、典型应用电路图、产品规格书及现货。iW1702 中文参数输出隔离：隔离内部开关：无电压 - 击穿：-拓扑：反...
AOTL037V60DE2：aMOS E2™平台首发600V超结MOSFET，专为高密度高效电源设计
发布时间：2026-02-06
在中高功率AC/DC与DC/AC系统持续追求更高效率、更高功率密度和更强可靠性的背景下，高压超结MOSFET已成为图腾柱PFC、LLC谐振变换器、移相全桥（PSFB）等先进拓扑的核心开关器件。Alpha and Omega Semiconductor（AOS）近期推出的aMOS E2™ 600V超结...
READ2304G （瑞萨电子双通道运算放大器）中文参数 附引脚图及典型应用电路图
发布时间：2026-02-05
READ2304G 是瑞萨电子一款高驱动性能、高转换率、全范围输入输出、CMOS 双通道运算放大器，瑞萨电子代理商-中芯巨能为您提供READ2304G ：中文参数、引脚图、典型应用电路图、规格书及现货库存。READ2304G 中文参数通道数(#)：2温度范围(°C)：-40...
SGM3802：单芯片可编程双极性电源解决方案详解 附引脚图及典型应用电路图
发布时间：2026-02-02
SGM3802是圣邦微电子一款集成式双输出电源管理IC，以单颗芯片提供可编程、高电流、快速响应的正负电压轨，显著简化系统设计。架构与核心参数SGM3802内部集成两个同步开关稳压器：VO1通道：同步升压拓扑，生成+4.6V 至 +6.4V（100mV步进）；VO2通道：反相降...
一颗芯片搞定三相无刷电机驱动？MP6543系列来了！附引脚图及电路图
发布时间：2026-01-31
在智能家电、电动工具、服务器散热风扇等产品中，无刷直流（BLDC）电机因高效率、低噪音、长寿命等优势，正快速取代传统有刷电机。但如何用更少的元器件、更低的成本实现可靠驱动？MPS（芯源）推出的 MP6543系列三相BLDC驱动芯片，给出了一个极具吸引力的...
精度达0.1°！MA600A磁编码器芯片赋能高精度机器人与伺服控制
发布时间：2026-01-31
在工业自动化、机器人关节、电动转向系统等高端应用中，对角度位置的检测精度和响应速度要求越来越高。传统光电编码器易受灰尘、振动影响，而基于霍尔效应的方案又难以兼顾精度与带宽。如今，MPS（芯源）推出的MA600A高精度磁性角度传感器，凭借TMR（隧...
MA900高精度磁角度传感器：抗干扰、零延迟，支持10万RPM高速测量
发布时间：2026-01-31
在伺服电机、机器人关节、电动转向等高性能运动控制系统中，角度传感器的精度、带宽与抗干扰能力直接决定系统性能。MPS（芯源）推出的 MA900 是一款基于差分磁传感架构的非接触式绝对角度位置传感器，凭借 ±0.02° RMS噪声水平、零延迟响应 和 >...
RC19013：瑞萨电子超低抖动时钟缓冲器 附引脚图及原理图
发布时间：2026-01-27
RC19013 是瑞萨电子一款专为PCIe Gen7设计的13输出时钟缓冲器，不仅向下兼容Gen1–6，更通过多项架构创新，显著提升系统设计裕量与鲁棒性。瑞萨电子代理商-中芯巨能为您提供RC19013：中文参数、引脚图、典型应用电路图及订购料号。RC19013 中文参...
DIO5010：专为USB2.0设计的高性能OVP开关 附内部结构图
发布时间：2026-01-27
DIO5010 是由帝奥微推出的一款专门针对USB接口设计的DP/DN信号过压保护（OVP）开关芯片，旨在提供快速响应、高带宽和高可靠性保护，防止意外高压输入导致的VBUS与DP/DN短路等故障，确保手机、平板等设备的安全性。本文将深入探讨DIO5010的关键技术...
英飞凌IGLT65R055B2：一颗芯片替代四颗，简化高效电源设计
发布时间：2026-01-27
IGLT65R055B2是英飞凌近日发布的新品，属于英飞凌第五代CoolGaN™ 650V双向开关（BDS）系列，采用采用TOLT封装，首次实现单芯片双向主动阻断能力，可直接替代传统由四颗分立MOSFET组成的背对背结构，大幅简化电路设计，降低系统成本，为光伏逆变器、服务器...
华略微HM013DNG技术参数详解及应用指南 附引脚图
发布时间：2026-01-26
HM013DNG是华略微（HeroMicro）双通道N沟道MOSFET，此型号凭借其卓越的电气性能和高集成度，已成为高效电源设计中的明星器件。该产品采用先进的高密度沟槽技术，专为降低损耗、提升功率密度而打造，适用于从消费电子到工业控制的广泛领域。核心技术参...
AOSP36326C (AOS低压MOSFET)中文参数 附引脚图
发布时间：2026-01-25
AOSP36326C 是Alpha & Omega Semiconductor（AOS）一款采用 SO-8 封装 的 30V、12A N 沟道增强型 MOSFET，基于先进沟槽工艺，具备 超低导通电阻 与 高电流能力，适用于 DC/DC 转换器、负载开关及电机驱动等中功率应用。AOS代理商-中芯巨能为您提供A...
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