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F5280 是瑞萨电子一款 4 通道 TRX 半双工硅 IC，采用 SiGe BiCMOS 工艺设计，适用于 n257/n261 频段的 5G 相控阵应用。核心IC对每个通道具有灵活的增益和相位控制，以实现辐射通道之间的精细波束控制和增益补偿。核心设计包括标准 SPI 协议，运行频率高达 50MHz，具有快速波束控制模式。瑞萨电子代理商-中芯巨能为您提供F5280中文资料，内容包含F5280产品特性、功能框图及订购型号。
25GHz 至 31GHz 运行
4个辐射通道
100ns 典型 RF 开关 Tx/Rx 模式切换时间
20ns 典型增益和相位稳定时间
3° 典型 RMS 相位误差
0.4dB 典型 RMS 增益误差
具有 4 状态存储器的高级 SPI
6位芯片地址
具有外部偏置的集成 PTAT
内部温度传感器
高达 50MHz SPI 控制
可编程片上存储器
电源电压：+2.3V至+2.7V
-40°C 至 +105°C 环境工作温度范围
3.6 × 3.6 毫米，49-BGA 封装
F5280AVGK
F5280AVGK8
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