英飞凌DF4-19MR20W3M1HF_B11：2000V CoolSiC™ MOSFET的创新应用

英飞凌DF4-19MR20W3M1HF_B11是首款采用EasyPACK™ 3B封装的2000V CoolSiC™ MOSFET功率模块，专为简化解决方案、提高功率密度并降低1500 VDC应用的总系统成本而设计。该模块不仅具备4路Boost升压电路，还采用了最新的CoolSiC™ M1H芯片技术，提供了卓越的性能和灵活性。代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍英飞凌DF4-19MR20W3M1HF_B11产品优势、应用领域及原理图。

DF4-19MR20W3M1HF_B11产品优势

紧凑设计与高效能

DF4-19MR20W3M1HF_B11模块采用了Easy 3B封装，集成了最新的CoolSiC™ M1H芯片，使其在2000V电压下具备与1200V M1H系列相同的性能和优势。其特点包括在125°C时RDSon降低12%，更宽的栅源电压区（+15...+18V和0...-5V），以及更高的最大结温（175°C）。此外，芯片尺寸更小，进一步提升了功率密度。

产品特性与优势

DF4-19MR20W3M1HF_B11的主要特性包括：

2000V CoolSiC™ MOSFET：增强的第一代产品，提供更高的电压处理能力。

Easy 3B封装：紧凑且易于集成的设计，适用于多种应用场景。

4路升压电路：优化了光伏升压电路的应用，提高了系统的整体效率。

扩展的栅极驱动电压窗口：推荐的栅极驱动电压范围从+15...+18V和0...-5V，增加了设计的灵活性。

更高的最大栅极-源极电压：支持+23V和-10V的最大栅极-源极电压，确保了更高的可靠性和稳定性。

过载条件下的高Tvjop：最高可达175°C的结温，适应恶劣的工作环境。

PressFIT压接针：简化安装过程，增强了连接的可靠性。

这些特性共同提升了DF4-19MR20W3M1HF_B11的整体性能，使其成为工程师们在设计过程中值得信赖的选择。

应用价值与设计便利性

DF4-19MR20W3M1HF_B11的优势在于其显著减少了所需器件的数量，同时提高了功率密度。通过使用最新的CoolSiC™技术，用户可以完全自由地选择关断时的栅极电压，从而实现更高的设计灵活性。此外，与1700V相比，FIT率降低了10倍，因为减少了宇宙射线引起的故障率，进一步提升了系统的可靠性。

该模块还减少了由动态分量引起的漂移，确保了长期稳定的运行。对于需要高性能和高可靠性的应用，如光伏升压电路，DF4-19MR20W3M1HF_B11提供了理想的解决方案。

DF4-19MR20W3M1HF_B11应用领域

DF4-19MR20W3M1HF_B11广泛应用于多个领域：

光伏升压电路：其高效的Boost升压电路设计，特别适合于光伏系统的应用，提升了能量转换效率。

工业电源：在工业电源系统中，该模块通过其高可靠性和灵活性，提供了强大的电力支持。

电动工具：在无线电动工具中，DF4-19MR20W3M1HF_B11的高性能和高可靠性确保了设备的长期稳定运行。

家电：在家用电器如微波炉中，该模块通过其强大的保护功能和灵活的设计选项，提高了设备的安全性和效率。

DF4-19MR20W3M1HF_B11原理图

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