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FDMS86101 是一款 N-沟道 MOSFET（MOS场效应晶体管），由全球领先的半导体公司ON Semiconductor生产。该器件具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性，适用于各种功率开关和功率放大应用。代理销售onsemi(安森美)旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供FDMS86101中文介绍、引脚图及原理图。
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1、简介
FDMS86101 是一款 N-沟道 MOSFET（MOS场效应晶体管），此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
2、FDMS86101功能特点：
1. 低导通电阻：FDMS86101 具有低导通电阻，能够在导通状态下提供较低的功耗。
2. 高开关速度：器件具有快速的开关速度，适用于要求高频率操作的应用。
3. 高耐压能力：具有较高的耐压能力，适用于要求较高电压的应用场景。
4. 低功耗：器件在导通状态下的低导通电阻和低开关损耗，使得整体功耗较低。
5. 高可靠性：FDMS86101 具有良好的稳定性和可靠性，适用于长时间稳定工作的应用环境。
6. 小型封装：器件提供小型封装，有利于在空间受限的应用中使用。
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3、FDMS86101应用领域
1. 功率开关：FDMS86101 可以用作功率开关，用于开启或关闭电路中的电源或负载。
2. 电源管理：在电源管理电路中，器件可用于功率放大、电压调节和电流控制等功能。
3. 马达驱动：在马达控制电路中，FDMS86101 可以用作马达的功率放大器，控制马达的启停和转速。
4. 电源转换器：器件可用于直流-直流（DC-DC）转换器和直流-交流（DC-AC）逆变器等电源转换器中的功率开关。
5. LED驱动：FDMS86101 可以用于LED照明系统中的功率放大器，驱动中功率LED灯的电流控制。
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