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IKW08T120是Infineon(英飞凌)一款具有反并联二极管的 1200 V、8 A IGBT 分立器件，代理销售Infineon(英飞凌)旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供IKW08T120中文参数及应用领域等内容。
原厂渠道，一手货源、不怕比价、承诺原厂原装正品、一片起订，极具竞争力的价格，欢迎贸易商和终端客户询价，客服微信： 13310830171。24小时采购热线：133-1083-0171。为终端客户提供选型指导+技术支持+样片测试等服务。
系列：TrenchStop
IGBT 类型：NPT，沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：16A
Current - Collector Pulsed (Icm)：24A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.2V @ 15V，8A
功率 - 最大值：70W
Switching Energy：1.37mJ
输入类型：标准
Gate Charge：53nC
25°C 时 Td（开/关）值：40ns/450ns
Test Condition：600V, 8A, 81 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：80ns
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3
最低的 V CEsat 压降可降低传导损耗
低开关损耗
由于 V CEsat的正温度系数，可轻松实现并行开关功能
非常柔软、快速恢复的反并联发射极控制 HE 二极管
高耐用性、温度稳定性能
低 EMI 辐射
低栅极电荷
参数分布非常紧密
电机控制及驱动器
不间断电源 (UPS)
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英飞凌科技近期推出了全新的CoolSiC™ MOSFET 400V G2系列产品，该产品将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻相结合，显著提升了系统成本效益。400V SiC MOSFET特别适用于2电平和3电平硬开关及软开关拓扑，能够提供卓越的功率密度和系统效率。主要应用领域包括人工智能服务器电源供应...【详情+】
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