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IKW75N60T是 Infineon(英飞凌)具有反并联二极管的 600 V、75 A IGBT 分立器件，代理销售Infineon(英飞凌)旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供IKW75N60T中文参数、特性、应用领域及引脚图。
原厂渠道，一手货源、不怕比价、承诺原厂原装正品、一片起订，极具竞争力的价格，欢迎贸易商和终端客户询价，客服微信： 13310830171。24小时采购热线：133-1083-0171。为终端客户提供选型指导+技术支持+样片测试等服务。
IGBT 类型：沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80A
Current - Collector Pulsed (Icm)：225A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，75A
功率 - 最大值：428W
Switching Energy：4.5mJ
输入类型：标准
Gate Charge：470nC
25°C 时 Td（开/关）值：33ns/330ns
Test Condition：400V, 75A, 5 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：121ns
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3
最低的 V CEsat 压降可降低传导损耗
低开关损耗
由于 V CEsat的正温度系数，可轻松实现并行开关功能
非常柔软、快速恢复的反并联发射极控制二极管
高耐用性、温度稳定性能
低 EMI 辐射
低栅极电荷
参数分布非常紧密
家用电器
电机控制及驱动器
光伏
住宅暖通空调
电信基础设施
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英飞凌科技近期推出了全新的CoolSiC™ MOSFET 400V G2系列产品，该产品将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻相结合，显著提升了系统成本效益。400V SiC MOSFET特别适用于2电平和3电平硬开关及软开关拓扑，能够提供卓越的功率密度和系统效率。主要应用领域包括人工智能服务器电源供应...【详情+】
2024年11月5日，英飞凌科技的CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块（包括EasyPACK™ 3B封装和62mm封装）凭借其市场领先的产品设计和卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, WEAA）“年度高性能无源/分立器件”（High Performance Pas...【详情+】
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