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NCP1230 是安森美半导体一款带有内部斜坡补偿的电流模式控制器。NCP1230 提供的其中一个独特功能为事件管理方案，可以在待机期间禁用前端 PFC 电路，因此降低无负载功耗。 NCP1230 本身会在轻型负载进入周期跳过，同时限制峰值电流（至标称峰值的 25%），从而不会产生噪声。NCP1230 是一款高电压启动电路，不再需要外部组件，降低了功耗。NCP1230 还具有内部锁存功能，可用于 OVP 保护。此锁存通过将 CS 引脚拉至 3.0 V 以上进行触发，只能通过将 VCC 拉至接地进行重置。NCP1230 提供的某些其他功能有真正的过载保护、内部 2.5 ms 软启动、内部前缘间隔、实现低 EMI 的内部频率抖动。
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具有内部斜坡补偿的电流模式操作
用于低损耗启动的内部高压启动电流源
极低的空载待机功耗
低峰值电流下的跳周期能力
直接连接到 PFC 控制器以提高空载待机功率
内部 2.5 ms 软启动
内部前沿消隐
锁存初级过流和过压保护
独立于辅助电平的短路保护
内部频率抖动可改善 EMI 特征
+500 mA/−800 mA 峰值电流驱动能力
提供三种频率选项：65 kHz、100 kHz 和 133 kHz
直接光耦连接
SPICE 模型可用于瞬态和交流分析
提供无铅封装
用于笔记本电脑等的大功率 AC/DC 适配器
离线电池充电器
平板电视、DVD RW、家庭影院、机顶盒
1、NCP1230D100R2G：封装 SOIC-8
2、NCP1230D133R2G：封装 SOIC-8
3、NCP1230D165R2G：封装 SOIC-8
4、NCP1230D65R2G：封装 SOIC-8
5、NCP1230P100G：封装PDIP-8
6、NCP1230P133G：封装PDIP-8
7、NCP1230P65G：封装PDIP-8
8、NCP1230D65R2G：封装 SOIC-8
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几十年来，硅（Si）一直是半导体行业的主要材料，但随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的局限性日益显现。宽禁带（WBG）材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），因其更高的电压、频率和温度工作能力，被视为解决之道。SiC的禁带宽度为3.3eV，远高于硅的1.1eV，使其在高压、大功率应用中...【详情+】
近日，安森美（onsemi，纳斯达克股票代码：ON）宣布，将成为斯巴鲁未来车型新一代EyeSight立体摄像头前向感知系统图像传感器的主要供应商。安森美先进的Hyperlux AR0823AT图像传感器将作为该系统的“眼睛”，为斯巴鲁的立体摄像头人工智能算法捕捉所需的关键视觉数据，使汽车能够做出更准确的...【详情+】
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