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NCP5181DR2G是一款高电压功率Mosfet 驱动器，提供两种输出，用于半桥配置（或任何其他高压侧+ 低压侧配置）的2 个N 沟道功率MOSFET 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥）。代理销售onsemi(安森美)旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供NCP5181DR2G产品中文介绍。
原厂优势渠道，一手货源、不怕比价、承诺原厂原装正品、一片起订，极具竞争力的价格，欢迎贸易商和终端客户询价，客服微信： 13310830171。24小时采购热线：133-1083-0171。为终端客户提供选型指导+样片测试+数据手册+技术支持+方案开发等服务。
高电压范围：高达 600 V
dV/dt 抗扰度 50 V/nsec
栅极驱动电源范围为 10V 至 20V
高和低 DRV 输出
输出源/灌电流能力 1.1 A / 2.4 A
3.3V 和 5V 输入逻辑兼容
输入引脚上高达 Vcc 的摆幅
两个通道之间匹配的传播延迟
输出与输入同相
独立逻辑输入可适应所有拓扑
两个通道均处于 VCC 锁定 (UVLO) 状态
与 IR2181(S) 引脚对引脚兼容
点击了解NCP5181DR2G中文参数及现货。
用于 UPS 系统的桥式逆变器
高功率能源管理
半桥电源转换器
全桥转换器
任何互补驱动转换器（非对称半桥、有源钳位）
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历经“千难万苦”，SiC完成了从原料一步步转化为高性能电子器件的全链条生产工艺之旅。在这个过程中，我们发现要想真正实现产业链效能最大化并构筑坚固竞争优势的核心策略，并非仅仅局限于单一生产环节的优化，而在于实施从晶体生长到晶圆制造再到成品封装三位一体的垂直整合。真正垂...【详情+】
在电动汽车市场迅猛发展的当下，安森美公司凭借其前瞻性的战略眼光，近年来在碳化硅领域进行了广泛的布局与投资。这一决策基于公司对未来市场的深刻洞察：电动汽车市场将全面拥抱碳化硅这一高性能材料。当前，虽然整车市场仍以IGBT(绝缘栅双极型晶体管)为主流，但技术的不断进步正在催...【详情+】
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