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7月3日18点，商务部和海关总署宣布实施对镓和锗相关物品的出口管制措施。此举是针对美国和荷兰最近对中国芯片发展制裁的回应。
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镓相关物品包括氮化镓、砷化镓和铟镓砷化物，而锗相关物品包括磷酸铟锗、锗外延生长基板和二氧化锗等。这些都是半导体行业中重要的材料，特别是在第三代半导体中，氮化镓是关键材料。
第三代半导体是中国由于镓和锗储量丰富而具有天然优势的领域。与第一代和第二代半导体不同，第三代半导体不需要先进的光刻机器，因此不存在受出口管制限制的问题。
氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）在提高电子设备在高压、高频和高功率应用方面的工作特性方面具有巨大潜力，如军事、新能源和电动汽车。目前，GaN主要用于功率器件，而SiC主要用于高温、高频率和高效率大功率器件。
没有第三代半导体，军用雷达、移动基站、智能电网、高速铁路和电动汽车的发展将受到严重影响。2020年，中国生产了290吨镓，占全球产量的96%。在储量方面，中国的镓储量占全球总量的68%以上。因此，如果不使用中国的半导体材料，就无法发展新能源等。
重拳已出，就看荷兰以及背后美日如何应对。如果他们胆敢继续升级半导体领域的不当竞争，而美国作为始作俑者也将受到严重影响。
德州仪器发布新款低功耗氮化镓（GaN）系列产品，旨在助力工程师开发系统尺寸减半且效率超过95%的交流/直流解决方案，从而简化散热设计。这一全新的氮化镓器件系列能够兼容交流/直流电源转换中常见的拓扑结构，为消费类电力电子产品和工业系统带来了重大突破。...【详情+】
随着数据中心不断为网络搜索、视频通话和信息存储等服务提供支持，处理能力和电力需求也随之增长。在这种情况下，德州仪器和台达电子的合作通过应用氮化镓（GaN）技术取得了突破性进展，为数据中心的功率密度和效率提供了显著提升。氮化镓是一种宽带隙半导体材料，特别适用于高性能电源开关。相比传统技术，氮化镓的开关功耗更低、开关速度更快，有助于实现更高的功率密度和效率。台达电子定制设计业务部研发经理 Kai Dong 表示：“氮化镓的应用融合了台达电子在高效电力电子装置领域的核心专业知识，以更大限度地提高功率密度，同时不...【详情+】
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