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镓和锗由于其独特的电子特性而被用作电子元器件材料。
镓：
镓通常以砷化镓 (GaAs) 或氮化镓 (GaN) 的形式使用。 镓作为半导体材料的一些主要用途是： 高速电子器件：砷化镓具有比硅更高的电子迁移率，使其适用于射频 (RF) 和微波器件等高频应用，包括卫星通信系统和蜂窝电话。 b. 光电器件：GaAs 和 GaN 可以发光，这使得它们适用于 LED 和激光二极管，包括用于交通灯和太阳能电池的器件。 电力电子器件：基于 GaN 的器件可以处理高电压和高温，使其成为电动汽车充电器、电源和逆变器等电力电子应用的理想选择。
锗：
锗是最早用于半导体应用的材料之一，特别是在二极管和晶体管中。 锗作为半导体材料的一些用途包括： 高速电子器件：与砷化镓一样，锗的高电子迁移率使其适用于高速电子器件和先进的计算机处理器。 红外探测器：锗对红外光具有优异的灵敏度，常用于红外探测器和热成像系统。光纤系统：掺锗二氧化硅被用作许多光纤的芯材料，有助于提高光纤通信系统的性能和效率。
镓和锗都广泛应用于需要高性能、高速度和能效的半导体应用中。 它们在各个领域补充硅，提供独特和专业的性能。
德州仪器发布新款低功耗氮化镓（GaN）系列产品，旨在助力工程师开发系统尺寸减半且效率超过95%的交流/直流解决方案，从而简化散热设计。这一全新的氮化镓器件系列能够兼容交流/直流电源转换中常见的拓扑结构，为消费类电力电子产品和工业系统带来了重大突破。...【详情+】
随着数据中心不断为网络搜索、视频通话和信息存储等服务提供支持，处理能力和电力需求也随之增长。在这种情况下，德州仪器和台达电子的合作通过应用氮化镓（GaN）技术取得了突破性进展，为数据中心的功率密度和效率提供了显著提升。氮化镓是一种宽带隙半导体材料，特别适用于高性能电源开关。相比传统技术，氮化镓的开关功耗更低、开关速度更快，有助于实现更高的功率密度和效率。台达电子定制设计业务部研发经理 Kai Dong 表示：“氮化镓的应用融合了台达电子在高效电力电子装置领域的核心专业知识，以更大限度地提高功率密度，同时不...【详情+】
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