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三星电子加大对HBM技术的投资,力争在存储芯片领域取得竞争优势

来源:互联网| 发布日期:2023-07-10 09:39:55 浏览量:

近期,三星电子在非常规的时机进行了晶圆代工部门和DRAM部门的人事调整,这被市场解读为一种弥补上半年存储半导体业绩不佳、加强代工业务的手段。

三星电子加大对HBM技术的投资,力争在存储芯片领域取得竞争优势

据报道,三星代工事业部技术开发部门副社长郑基泰被任命为事业部最高技术负责人,而他的职位将由Jahun Koo接任。此外,存储半导体中DRAM开发的部门负责人也进行了更换,黄相俊接替了这一职位,这被业界解读为对HBM技术发展的关注。

三星公布截至2023年3月31日的第一季度营运业绩,合并营收为63.75万亿韩元,较上一季度下滑10%。装置解决方案(Device Solutions)事业部的合并营收为13.73万亿韩元,营业损失为4.58万亿韩元。

目前,三星高级开发、设计和战略行销部门的负责人分别是You Chang-shik、Oh Tae-young和Yun Ha-ryong。

受库存调整影响,PC和消费类产品市场的表现低于预期,晶圆代工的成熟工艺和一部分相对先进的7/8nm产能利用率也受到很大影响,包括台积电在内。然而,台积电的客户群体相对广泛,相较之下,三星的晶圆代工客户群体较为集中,因此受到的冲击更大。据称,三星在今年第一季度不得不通过降价抢单来应对这一情况。

虽然三星率先推出了GAA技术的3nm工艺,但似乎并没有改变其在晶圆代工领域的地位。在今年第一季度,8英寸和12英寸产能利用率下滑,不过在第二季度,部分3nm新产品的产出将正式贡献营收。

然而,根据TrendForce发布的2023年第一季度全球前十大晶圆代工厂商营收排名,台积电的市场份额有所增长,其抗击市场动荡风险的能力也更加强大,而三星的市场份额则有所下降。

三星这次对两个部门的突然调整可能反映了该公司目前所面临的困境。有韩国媒体表示,三星电子的DRAM产量已降至自2021年第三季度以来的最低水平,公司已将DRAM月产量削减至62万片晶圆,比去年同期减少了12%以上。

三星电子披露了初步核实数据,预计2023年第一季度DRAM市场份额为43.3%,较上一季度下降1.5个百分点。这主要是由于市场需求疲软和竞争对手的增加所导致的。不过,三星电子表示,他们计划通过提高产能、推出新产品和加强市场营销来应对这一挑战。

存储芯片领域,HBM技术被广泛应用于高性能计算、人工智能、图形处理等领域。HBM具有高带宽、低功耗和小尺寸的特点,能够满足高性能计算和数据中心等应用的需求。

根据市场预测,随着高性能计算和人工智能等领域的快速发展,对HBM的需求将大幅增长。三星电子计划投资1万亿韩元扩大HBM的产能,以满足AMD、Nvidia等客户的需求。据称,三星已经收到了AMD和Nvidia的订单,以增加HBM的供应。

目前,三星已经量产了HBM2和HBM2E等下一代产品,并计划在下半年量产8层堆叠的HBM3和最近完成的12层HBM3E。这些新一代产品将进一步提高HBM的性能和存储容量,满足不断增长的市场需求。

总的来说,三星电子对HBM技术的投资和产能扩大表明他们对该领域的发展前景持乐观态度,并希望通过满足客户需求来提升自身竞争力。随着高性能计算和人工智能等领域的快速发展,HBM的需求将继续增长,三星电子有望在这一领域取得更大的市场份额。

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