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在n型半导体例（如场效应管）中，多子浓度和少子浓度的精确解可以通过求解半导体的能带结构和载流子统计分布方程来得到。具体求解方法如下：
1. 首先，需要确定半导体的能带结构。能带结构可以通过求解半导体的Schrödinger方程得到。一般情况下，可以采用有效质量近似来简化计算。
2. 根据能带结构，可以得到半导体中的载流子能级分布。对于n型半导体，电子是主要的载流子，其能级分布可以用费米-狄拉克分布函数来描述。费米-狄拉克分布函数的形式为：
f(E) = 1 / (1 + exp((E - Ef) / kT))
其中，E是能级，Ef是费米能级，k是玻尔兹曼常数，T是温度。
3. 根据载流子能级分布，可以得到电子和空穴的浓度。对于n型半导体，电子浓度为：
n = ∫ f(E) * D(E) * g(E) dE
其中，D(E)是能级密度，g(E)是电子的有效态密度。
4. 类似地，空穴浓度可以通过求解空穴能级分布得到。对于n型半导体，空穴浓度很低，可以近似为零。
需要注意的是，上述方法得到的是精确解，但求解过程比较繁琐。在实际应用中，常常采用近似方法来简化计算，例如使用简化的能带模型或者假设电子和空穴浓度之间的关系。
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