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日本半导体制造商ROHM推出了一款集成了650V GaN HEMT和栅极驱动器的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB），面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源。
随着对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件受到了广泛关注。然而，与Si MOSFET相比，GaN HEMT的栅极处理很难，必须与驱动栅极用的驱动器结合使用。ROHM结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势，开发出了这款集功率半导体——GaN HEMT和模拟半导体——栅极驱动器于一体的Power Stage IC。该产品的问世使得被称为“下一代功率半导体”的GaN器件轻松实现安装。
新产品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。另外，新产品支持更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET。与Si MOSFET相比，该产品的器件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，因此可同时实现更低损耗和更小体积。
新产品已于2023年6月开始量产。
＜ROHM新品型号＞
新产品支持更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），而且传输延迟短、启动时间快，因此支持一次侧电源中的各种控制器IC。
BM3G015MUV-LBVe VeBM3G007MUV-LB
＜ROHM新品应用领域＞
适用于内置一次侧电源（AC-DC或PFC电路）的各种应用。
消费电子：白色家电、AC适配器、电脑、电视、冰箱、空调
工业设备：服务器、OA设备。
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