13年IC行业代理分销 覆盖全球300+品牌
现货库存，2小时发货，提供寄样和解决方案
24小时服务热线: 0755-82539998
现货库存，2小时发货，提供寄样和解决方案
热搜关键词：
场效应管是一种半导体器件，其工作原理基于PN结的雪崩效应和隧穿效应。
雪崩效应（Avalanche Breakdown）：
场效应管中的雪崩效应与普通的PN结雪崩效应类似。当场效应管的栅极与源极之间的电压增大到一定程度时，由于电场强度增大，会导致栅极结区域的PN结发生雪崩效应。这会导致电流迅速增大，从而使场效应管失去反向击穿。
发生雪崩效应的条件：
- 栅极与源极之间的反向电压超过场效应管的击穿电压。
- 栅极结区域具有足够高的电场强度，可以加速电子和空穴的碰撞。
隧穿效应（Tunneling Effect）：
场效应管中的隧穿效应与普通的PN结隧穿效应类似。当场效应管的栅极与源极之间的正向电压增大到一定程度时，由于栅极与源极之间的势垒减小，电子可以通过势垒隧穿到导体中。这种通过势垒的隧穿现象称为隧穿效应。隧穿效应会导致电流迅速增大，从而使场效应管失去正向击穿。
发生隧穿效应的条件：
- 栅极与源极之间的正向电压超过场效应管的击穿电压。
- 栅极与源极之间的势垒高度足够低，使得电子能够通过势垒发生隧穿。
总的来说，场效应管的PN结雪崩效应和隧穿效应与普通的PN结器件类似，但其具体的击穿机理和条件会受到场效应管的结构和工作原理的影响。在设计和使用场效应管时，需要注意避免超过击穿电压，以保证器件的正常工作。
1EDI60I12AF是Infineon(英飞凌)具有独立输出和短路钳位功能的 1200 V、10 A 单通道隔离式栅极驱动芯片，代理销售Infineon(英飞凌)旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供1EDI60I12AF中文参数、功能特点、应用领域及引脚图。原厂渠道，一手货源、不怕比价、承诺原厂原装正品、一...【详情+】
1EDI40I12AF是Infineon(英飞凌)一款具有独立输出和短路钳位功能的 1200 V、7.5 A 单通道隔离式栅极驱动芯片，代理销售Infineon(英飞凌)旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供1EDI40I12AF中文参数应用领域及引脚图等内容。原厂渠道，一手货源、不怕比价、承诺原厂原装正品、一...【详情+】
电话
申请样品
留言
咨询