罗姆半导体开发的Power Stage IC助力实现下一代功率半导体

近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。为满足这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件备受期待。

GaN（氮化镓）是一种化合物半导体，类似于SiC（碳化硅），被视为第三代半导体材料的代表之一，并广泛应用于新一代高频功率元器件。相比于传统的硅（Si）半导体材料，GaN具有更大的禁带宽度、击穿场强和电子饱和速度，具备更出色的物理性能。特别是在高频率工作和高速开关状态下，GaN表现出比硅甚至碳化硅更好的性能。

HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写，与垂直结构的Si MOSFET相比，HEMT通过控制导通宽度来控制器件的开关状态，具有水平结构（可理解为栅极电压）。GaN HEMT结合了这种结构和GaN本身的特性，使得它具备更快的开关速度，同时开关损耗也比Si MOSFET降低了约65%。如图所示：

在现有的功率半导体器件中，Si MOSFET适用于中频率和中功率范围；IGBT由于拖尾现象的存在，主要应用于低频高功率范围；SiC相对于IGBT，在更高的频率范围内具备应用的潜力，通常用于车载逆变器、车载DC-DC，甚至在铁路、工业设备、太阳能和光伏领域。而在所有这些器件中，GaN的频率最高，功率容量属于中等，目前主要应用于快充和小型AC适配器中，未来有望扩展到车载OBC、数据中心服务器电源和分布式基站电源等领域。

然而，与Si MOSFET相比，GaN HEMT的栅极处理更为复杂，需要与专门用于驱动栅极的驱动器结合使用。在这一市场背景下，罗姆半导体结合其在功率和模拟两个核心技术方面的专长，开发出一种融合了GaN HEMT和栅极驱动器的Power Stage IC产品“BM3G0xxMUV-LB”。该产品的问世使得被誉为“下一代功率半导体”的GaN器件可以更加轻松地实现安装。

罗姆半导体的Power Stage IC产品将GaN HEMT和栅极驱动器集成在一起，为GaN器件的应用提供了便利。这一创新技术将相对复杂的栅极处理简化，加速了相关设备的开发和部署的过程。通过罗姆半导体的努力，GaN器件的可广泛应用将有望带来更高的功率转换效率和更小的器件尺寸，促进可持续发展的目标的实现。

总而言之，罗姆半导体所开发的Power Stage IC产品为下一代功率半导体的应用提供了便利。通过集成GaN HEMT和栅极驱动器，该产品简化了栅极处理的复杂性，加速了相关设备的开发和部署。此举将推动功率转换效率的提升和器件尺寸的缩小，为实现可持续发展的社会目标作出了积极贡献。

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