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意法半导体于8月3日宣布已经开始量产其增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件，该器件可简化高效功率转换系统的设计。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电以及汽车电气化等应用的性能。
该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装。它们的额定电流分别为15A和25A，25℃时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外，这两款GaN晶体管的总栅极电荷分别为3nC和5.4nC，寄生电容较低，可以确保晶体管具有最小的导通/关断能量损耗。而开尔文源极引脚则可以优化栅极驱动。除了可以减小电源和适配器的尺寸和重量，这两款新的GaN晶体管还能实现更高的能效、更低的工作温度以及更长的使用寿命。
在未来的几个月内，意法半导体还计划推出更多新款PowerGaN产品，包括车规器件以及PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。
意法半导体的G-HEMT器件将推动功率转换系统向GaN宽带隙技术的过渡。与传统的硅基晶体管相比，GaN晶体管具有相同的击穿电压和导通电阻(RDS(on))，但总栅极电荷和寄生电容更低，并且没有反向恢复电荷。这些特性提高了晶体管的能效和开关性能，使得可以使用更小的无源器件实现更高的开关频率，进而提高功率密度。因此，应用设备可以变得更小型化且性能更高。未来，GaN还有望实现新的功率转换拓扑结构，进一步提高能效并降低功耗。
意法半导体的PowerGaN分立器件产能充足，可以满足客户快速量产需求。SGT120R65AL和SGT65R65AL已经上市，采用PowerFLAT 5x6 HV封装。
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