全球功率器件市场预测：到2028年将增长至333亿美元，中国厂商将迅猛发展

随着电动和混合动力电动汽车(xEV)、可再生能源和工业电机等应用的日益普及，全球功率器件市场预计将迎来大幅增长。根据Yole的最新数据，到2028年，全球功率器件市场将增长至333亿美元，其中中国厂商将在电动汽车产业的优势下迅猛发展。

全球功率器件市场从2023年的约230亿美元快速增长到2028年的333亿美元，这一需求需要建立更多的硅、SiC和GaN功率器件制造产能来支撑。在产能建设方面，硅器件厂商在不断发展，并积极拥抱转向12英寸晶圆的趋势，以提升产能并降低单颗裸芯的成本。由于硅晶圆也可用于传感器等其他微电子器件，因此与从6英寸碳化硅晶圆过渡到8英寸相比，投资12英寸晶圆制造设备的风险更低。

Yole电力电子首席分析师Ana Villamor预测，未来五年内，在当前5600万片8英寸等效晶圆的基础上，每年将增加2500万片8英寸等效晶圆产能。这是一个超强投资周期，也是电子电力行业有史以来最大的投资周期。IDM制造商如英飞凌、博世、东芝、Nexperia、CR Micro等，以及中芯国际、华虹宏力等晶圆代工厂都已决定转向12英寸晶圆制造，英飞凌、Alpha&Omega、博世、安森美和士兰微等都已经开始量产12英寸晶圆，意法半导体在内的其他厂商于今年开始量产，更多公司将在2024~2026年开始量产。此外，英飞凌与博世均扩大了12英寸晶圆产能，并宣布了进一步扩产计划，其他厂商，包括比亚迪在内的许多中国公司也将紧随其后。预计2024~2026年，中国企业在国内电动汽车市场的推动下实现更快的产能爬坡。

在SiC功率器件领域，主要受电动汽车的推动，预计到2028年电子电力器件的市场规模占比将达25%左右；在GaN功率器件领域，主要受到消费类快充以及智能手机、电脑适配器需求推动。SiC功率器件在下游应用中的采用速度比GaN快，后者起步晚，但是两者都将从传统硅器件市场中取得份额。

就SiC器件而言，SiC晶圆成本和可用性一直是影响其发展速度的主要因素。从晶圆到器件之间的供应链存在大量垂直整合的厂商。大型企业如Wolfspeed、安森美、罗姆和意法半导体等覆盖了整个供应链，包括晶锭/衬底、外延、芯片加工和二极管/晶体管设计；中国的小型企业，如天科合达、天岳先进聚焦在SiC晶锭/衬底领域。一些SiC器件制造商如英飞凌、博世等依赖外部SiC晶圆供应，中国企业在SiC晶圆领域的市场份额在逐步扩大，并计划在未来五年内大幅增加产能，目标是到2027年占全球产能的40%以上。

Yole预计中国供应商可能会以较低价格大量供货，而SiC晶圆的供需状况逆转将显著改变SiC和硅功率器件行业的游戏规则，更便宜的SiC器件的出现不仅会影响成本高的SiC厂商，还会加速SiC器件在许多应用中对硅器件的替代。此外，裸芯片产能的大幅提升也将带动封装领域的投资增加，以避免形成未来潜在的产能瓶颈，尤其是功率模块。一些公司已经开始进行封装领域的合作，而另一些公司则自己投资封装产能，例如英飞凌、意法半导体和日月光等公司在封装领域的投资额从20~40亿元不等，预计这一数字还将持续增加以满足功率器件需求。