Nexperia推出首款SiC MOSFET，引领电动汽车和工业应用创新

2023年11月30日，基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件。这标志着Nexperia SiC MOSFET产品组合的首次发布，为电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用提供了高性能SiC MOSFET解决方案。

Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱电机希望这两款首发产品可以激发更多的创新，推动市场涌现更多宽禁带器件供应商。Nexperia现可提供SiC MOSFET器件，这些器件的多个参数性能均超越同类产品，例如高RDS(on)、良好的温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量SiC MOSFET的开篇之作。毫无疑问，在未来几年里，我们将共同推动SiC器件性能的发展。”

三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示：“我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作推出的首批产品。三菱电机在SiC功率半导体方面积累了丰富的专业知识，我们的器件实现了多方面特性的出色平衡。”

Nexperia的SiC MOSFET采用了创新型工艺技术，实现了业界领先的温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDS(on)的标称值仅增加38%。此外，SiC MOSFET的栅极总电荷(QG)非常低，由此可实现更低的栅极驱动损耗。Nexperia通过平衡栅极电荷，使QGD与QGS比率非常低，进一步提高了器件对寄生导通的抗扰度。

除了正温度系数外，Nexperia的SiC MOSFET的器件间阈值电压VGS(th)也超低，这使得器件并联工作时，在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。

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Nexperia将持续扩大SiC MOSFET产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。对于对高性能SiC MOSFET需求的客户，Nexperia提供了广泛的解决方案，包括适用于电动汽车、工业应用和能源系统的SiC MOSFET产品。这些产品将为客户提供更高的功率密度、更高的效率和更可靠的性能，从而推动电动汽车和工业应用的创新发展。

Nexperia的SiC MOSFET产品具有出色的温度稳定性、低栅极驱动损耗、抗寄生导通能力和低体二极管正向电压等特点，为客户提供了高性能的解决方案。随着SiC技术的不断成熟和应用领域的不断扩大，Nexperia将继续推出更多创新的SiC MOSFET产品，满足客户不断增长的需求，推动电动汽车和工业应用领域的发展。如需数据手册、样片测试、询价、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。