Nexperia推出新一代GaN FET器件，开创高压GaN HEMT技术新时代

Nexperia推出新一代GaN FET器件，采用了新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。

Nexperia最近宣布推出了新款GaN FET器件，采用了新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装。这一突破性的封装方案为工业和可再生能源应用的设计人员提供了更多选择。

经过二十多年的努力，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识。现在，他们成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET)，推出了GAN039-650NTB，这是一款33mΩ(典型值)的氮化镓场效应管，采用CCPAK1212i顶部散热封装技术，开创了宽禁带半导体和铜夹片封装相结合的新时代。这项技术为太阳能和家用热泵等可再生能源应用带来诸多优势，进一步加强了Nexperia为可持续应用开发前沿器件技术的承诺。该技术还适用于广泛的工业应用，如伺服驱动器、开关模式电源(SMPS)、服务器和电信应用。

Nexperia的创新型CCPAK封装采用了Nexperia成熟的铜夹片封装技术，无需内部焊线，从而可以减少寄生损耗，优化电气和热性能，并提高了器件的可靠性。为了更大限度地提升设计灵活性，CCPAK GaN FET提供顶部或底部散热配置，进一步改善散热性能。

GAN039-650NTB的级联配置使其能够提供出色的开关和导通性能，此外其稳健可靠的栅极结构可提供较高的噪声容限。这一特性还有益于简化应用设计，无需复杂的栅极驱动器和控制电路，只需使用标准硅MOSFET驱动器即可轻松驱动这些器件。Nexperia的GaN技术提高了开关稳定性，并有助于将裸片尺寸缩小约24%。此外，器件的RDS(on)在25℃时仅为33 mΩ(典型值)，同时其具有较高的门极阈值电压和较低的等效的体二极管导通压降。

Nexperia副总裁兼GaN FET业务部总经理Carlos Castro表示：“Nexperia深刻认识到，工业和可再生能源设备的设计人员需要一种高度稳健的开关解决方案，以便在进行功率转换时实现出色的热效率。因此Nexperia决定推出了GAN039-650NTB型号，这款器件采用了我们最新的高压GaN HEMT技术和CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用提供了更多选择。

Nexperia的GaN FET器件在提供高效能量转换的同时，还具有出色的热性能和可靠性。我们的CCPAK封装技术结合了铜夹片封装的优势，无需内部焊线，减少了寄生损耗，提高了器件的可靠性和稳定性。此外，CCPAK GaN FET提供顶部或底部散热配置，进一步改善了散热性能，为设计人员提供更大的灵活性。

GAN039-650NTB的级联配置使其能够提供出色的开关和导通性能，同时具有稳健可靠的栅极结构，能够提供较高的噪声容限。这一特性简化了应用设计，无需复杂的栅极驱动器和控制电路，只需使用标准硅MOSFET驱动器即可轻松驱动这些器件。

我们相信，GAN039-650NTB将为工业和可再生能源应用领域带来更多的创新和便利，为可持续能源发展做出贡献。我们将继续致力于推动GaN技术的发展，为客户提供更先进、高效的解决方案。如需数据手册、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。