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安森美（onsemi）最近推出了一系列新一代功率半导体产品，旨在助力客户的系统设计和能源储存方案。这些新产品包括全新第7代1200V IGBT、储能系统方案、首次精确仿真工具、150V N沟道MOSFET屏蔽栅PowerTrench以及IGBT模块 A-Type NPC 1000V, 800A IGBT。这些产品的推出将为能源储存和系统设计领域带来新的技术突破和解决方案。
安森美的全新FS7 S系列1200V IGBT采用了新颖的场截止第7代IGBT和二极管技术，具有领先的开关性能和低VF，可在高温环境下工作，降低导通损耗和开关损耗，为客户的系统设计提供更高的能效。此外，安森美还推出了150V N沟道MOSFET屏蔽栅PowerTrench，通过降低导通电阻和Qrr，保持良好的开关性能。另外，公司还提供了IGBT模块 A-Type NPC 1000V, 800A IGBT，这将为客户的系统设计提供更多的选择和灵活性。
针对储能系统方案，安森美提供了一系列技巧和工具，帮助客户了解电池储能系统的设计挑战和考虑因素，以及选择最适合其要求的电源转换半导体器件的技巧。此外，公司还推出了首次精确仿真工具Elite Power Simulator，通过对复杂电力电子应用进行系统级仿真，为工程师提供有价值的参考信息。
安森美的这些新一代功率半导体产品将为客户的系统设计和能源储存方案带来更多的选择和技术支持，助力客户实现更高的能效和更可靠的系统性能。如需采购、申请样片测试、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
随着汽车、工业、人工智能数据中心等多个行业对电力需求的持续增长，工程师们面临前所未有的挑战：一方面需不断提升性能，另一方面则要遵守越来越严格的环保标准和能效要求。特别是在医疗可穿戴设备等小型低功耗设备领域，市场对智能化和功能性的需求日益增加，同时能效和成本控制仍然...【详情+】
几十年来，硅（Si）一直是半导体行业的主要材料，但随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的局限性日益显现。宽禁带（WBG）材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），因其更高的电压、频率和温度工作能力，被视为解决之道。SiC的禁带宽度为3.3eV，远高于硅的1.1eV，使其在高压、大功率应用中...【详情+】
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