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MOS管并联后,如何计算电流增加呢【解答】

来源:电子元器件供应商中芯巨能| 发布日期:2023-12-29 14:00:01 浏览量:

在电子电路设计中,为了满足更大的电流需求或者提高系统的可靠性,通常会采用MOS管并联的方式。MOS管并联后,电流会增加多少呢?这个问题涉及到MOS管的特性、电路设计和电流分配等方面的知识。在本文中,我们将深入探讨MOS管并联后电流增加的计算方法。

MOS管简介

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常用的场效应晶体管,具有高输入阻抗、低功耗和高频特性等优点,广泛应用于电子设备中的开关、放大和调节等电路中。MOS管通常由栅极、漏极和源极组成,栅极控制漏极和源极之间的电流,因此在电路中起到开关和调节的作用。

MOS管并联的作用

在实际电路设计中,由于某些特定的需求,单个MOS管可能无法满足系统的电流需求或者无法提供足够的可靠性。此时,可以采用MOS管并联的方式来增加电流承载能力和提高系统的可靠性。MOS管并联后,可以将多个MOS管的电流能力叠加,从而实现更大的电流输出或者更高的可靠性。

MOS管并联后电流增加的计算方法

MOS管并联后,如何计算电流增加呢?这涉及到电路中MOS管的工作状态、电流分配和电路参数等方面的知识。下面我们将介绍一些常用的计算方法。

1. 理想情况下的电流增加计算

在理想情况下,当多个MOS管完全相同、完全均匀地并联在一起时,可以采用简单的电流增加计算方法。假设有n个完全相同的MOS管并联,每个MOS管的电流承载能力为I1,则并联后的总电流为n*I1。这是因为在理想情况下,每个MOS管都能够均匀地分担总电流,从而实现电流的叠加。

2. 实际情况下的电流增加计算

在实际情况下,由于MOS管的参数存在一定的差异,比如漏极-源极电阻、栅极-源极电压阈值等,因此不能简单地将并联后的总电流视为n*I1。在实际情况下,需要考虑MOS管的参数差异对电流分配的影响。

实际情况下,可以采用以下方法进行电流增加的计算:

(1)根据每个MOS管的参数,计算每个MOS管的电流承载能力,考虑到参数差异,可以将电流承载能力表示为I1、I2、I3...In。

(2)根据实际工作状态,计算每个MOS管的实际工作电流,考虑到参数差异,可以将实际工作电流表示为i1、i2、i3...in。

(3)计算并联后的总电流,可以采用以下公式进行计算:

总电流 = i1 + i2 + i3 + ... + in

需要注意的是,在实际计算中,还需要考虑到MOS管的热效应、温度漂移等因素对电流分配的影响,以确保系统的稳定和可靠运行。

MOS管并联后,电流增加的计算涉及到MOS管的参数、电流分配和电路设计等方面的知诫。在理想情况下,可以简单地将并联后的总电流视为n*I1;在实际情况下,需要考虑MOS管参数差异对电流分配的影响,采用实际工作状态下的电流计算方法。通过合理的计算和设计,可以实现MOS管并联后的电流增加,从而满足系统的电流需求和提高系统的可靠性。如需采购MOS管、申请样片测试、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。

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