瑞萨电子宣布收购Transphorm，加速WBG材料应用发展

瑞萨电子与Transphorm2024年1月12日宣布已达成最终协议，将以每股5.10美元现金收购全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.的所有已发行普通股。这一收购协议对Transphorm的估值约为3.39亿美元，溢价幅度分别为35%、56%和78%。此次收购将为瑞萨提供GaN的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。

随着对高效电力系统的需求不断增加，相关产业正在向以碳化硅(SiC)和GaN为代表的宽禁带(WBG)材料过渡。这些先进材料比传统硅基器件具备更广泛的电压和开关频率范围。在此背景下，瑞萨已宣布建立一条内部SiC生产线，并签署了为期10年的SiC晶圆供应协议。

此次收购将进一步扩展瑞萨的WBG产品阵容，利用Transphorm在GaN方面的专业知识，以满足GaN的高开关频率、低功率损耗和小外形尺寸等优势，为客户提供更高效、更小、更轻、成本更低的解决方案。根据行业研究，GaN的需求预计每年将增长50%以上。瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案，例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案，以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。

瑞萨电子首席执行官柴田英利表示：“Transphorm是一家由来自加州大学圣塔芭芭拉分校、并扎根于GaN功率、经验丰富的团队所领导的公司。Transphorm GaN技术的加入增强了我们在IGBT和Si

MOSFET等传统半导体器件领域的产品线，使我们能够为客户提供更全面的高性能电力解决方案。我们期待通过这一收购加速我们在WBG材料领域的技术和产品布局，进一步巩固在电动汽车、计算、可再生能源和工业电源等领域的市场地位。”

Transphorm的联合创始人兼首席执行官Primit Parikh表示：“我们很高兴能够成为瑞萨电子的一部分。瑞萨是一家全球领先的半导体公司，与我们在GaN技术领域的专业知识和创新理念相辅相成。这一收购将为Transphorm带来更多资源和机会，加速我们的产品创新和市场拓展。同时，这也为我们的团队提供了更广阔的发展平台，我们期待着在瑞萨的支持下，继续推动GaN技术的创新和应用。”

双方预计，该交易将于2024年第一季度完成，前提是Transphorm股东的批准以及符合一定的惯例和法规审批条件。该交易不受瑞萨的融资条件限制，瑞萨将通过现金支付来完成收购。

总之，瑞萨电子收购Transphorm将为其在WBG材料领域的技术和产品布局提供强大支持，进一步巩固其在电动汽车、计算、可再生能源和工业电源等领域的市场地位，为客户提供更具竞争力的解决方案，同时也为Transphorm的团队提供了更广阔的发展平台。这一举措将为瑞萨和Transphorm带来可观的价值和机遇，为双方未来的发展奠定坚实基础。