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MOS管故障分析与防护措施

来源:电子元器件现货供应商-中芯巨能| 发布日期:2024-01-15 15:44:25 浏览量:

在各种功率器件中,MOS管可能会面临多种故障,包括过电压、过电流、过热等。电子元器件现货供应商-中芯巨能将深入介绍导致MOS管故障的原因,并提出相应的防护措施。

1.过电压

MOS管对过压的容忍度很小,稍微超出额定电压即可导致设备损坏。为防止过电压,应保守地考虑额定电压,注意抑制电压尖峰或振铃。

2.长时间电流过载

长时间高电流会在MOS管中产生大量热耗散,导致过热损坏。确保散热良好,可以通过直接并联多个MOS管共享高负载电流。

3.瞬态电流过载

短暂而大的电流过载可能逐渐损坏MOS管,但在故障发生前,MOS管的温度可能不会显著升高。此类情况可通过增加死区时间减少击穿机会。

MOS管故障分析与防护措施

4.击穿(交叉传导)

两个相对MOS管的控制信号重叠可能导致两者同时导通,引起电源短路。设置死区时间可最大限度减少击穿机会。

5.没有续流电流路径

在电感负载切换电流时,确保提供续流路径,通常通过并联反向续流二极管实现。

6.MOS管体二极管的缓慢反向恢复

高Q谐振电路可能导致MOS管体二极管在开关时产生问题。通过添加二极管缓解,如与源极串联的肖特基二极管和并联的快速恢复二极管。

7.过度的栅极驱动

高于额定电压的栅极驱动可能损坏栅极绝缘层,确保栅极信号不超过最大允许电压。

8.栅极驱动不足(不完全开启)

确保MOS管硬开启,以减少传导期间的功耗。

9.缓慢的开关转换

尽可能快速地在状态之间切换,以减少切换期间的功耗。

10.杂散振荡

最小化MOS管周围的杂散电感和电容,使用低阻抗栅极驱动电路防止信号耦合。

11."米勒"效应

使用低阻抗栅极驱动器最小化米勒效应,确保栅极电压钳位到安全水平。

12.对控制器的辐射干扰

确保控制器放置在屏蔽外壳中,分离电源和控制电路。

13.对控制器的传导干扰

通过去耦和中性点接地减少传导干扰,使用变压器耦合在防止电噪声传导回控制器方面非常有效。

14.静电损坏

安装MOS管时采取防静电处理,防止栅氧化层损坏。

15.高驻波比

在脉冲系统中,考虑VSWR,确保传输线和负载匹配,减少反射和阻抗不连续性引起的问题。

通过理解这些故障原因,工程师可以采取相应的防护措施,提高MOS管的稳定性和可靠性。如需采购MOS管、申请样片测试、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。


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