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AOS发布新款100V MOSFET AONA66916,采用创新双面散热封装

来源:中芯巨能:提供选型指导+现货供应+技术支持| 发布日期:2024-01-25 14:03:12 浏览量:

著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS)最近发布了一款新的100V MOSFET产品——AONA66916,该产品采用了AOS创新型的双面散热DFN 5 x 6封装。AOS一直以来被客户系统研发人员视为重要的方案设计组件,帮助客户实现各种高性能应用要求。现在,AOS产品进一步创新,提供了最先进的封装以保持器件的最佳散热性能,使工程师能够在长期处于恶劣条件下运行的电信系统和工业应用中开发更高效的方案设计。

AOS发布新款100V MOSFET AONA66916,采用创新双面散热封装

传统的DFN 5x6封装主要依靠底部焊盘进行散热,器件产生的大部分热量都将转移到PCB上。为了满足系统要求,增加了PCB热管理设计的难度。AOS双面散热型DFN 5x6封装由于其较大的表面接触面积结构,可以实现外露的顶部窗口和散热器之间的最高热传递。这使得器件能够实现0.5°C/W的低热阻(Rthc-top max),从而显着提高热性能。AONA66916的顶部开窗式DFN 5x6封装与AOS标准的DFN 5x6具有相同的封装和尺寸(5mm x 6mm),无需修改现有PCB布局,以最小的评估工作量提高功率密度。

AONA66916利用AOS 100V AlphaSGT™技术,其优越的品质因数(FOM)完美适配硬开关的应用。AONA66916的最大RDS(on)为3.4mOhms,支持最大结温175°C。

Peter Wilson,AOS MOSFET产品线资深市场总监表示:“在高功率电源设计中,MOSFET的散热性能具有一定的挑战性,AOS通过其先进的顶部开窗封装设计成功解决了这一基本问题。由于顶部开窗的面积相对较大,这不仅实现了MOSFET从顶部窗口到散热器之间更好的热传递,而且MOSFET较低的温度,也有助于实现更高效、更稳健的设计方案。”

这一新款100V MOSFET产品的发布,进一步彰显了AOS在功率半导体领域的创新能力和技术实力,为客户提供了更多高性能、高可靠性的解决方案,助力其在电信系统和工业应用中取得更大成功。如需数据手册、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。

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