USB C型PD适配器和快速充电器交互式框图及意法半导体芯片推荐

外形纤细且正反可插的新型USB Type-C™ 连接器具备USB电力传输（PD）功能，可以提供100 W（20 V，5 A）功率，支持实现更快、更高效的充电解决方案。这些连接器大大扩展了USB设备的功能，现在广泛应用于壁式充电器和适配器。 意法半导体代理商为您提供USB C型PD适配器和快速充电器交互式框图及意法半导体芯片推荐。

USB C型PD适配器和快速充电器交互式框图

USB C型PD适配器和快速充电器芯片推荐

1、PFC 控制器：

L6564H - 高压启动过渡模式PFC

L6564H - 高压启动过渡模式PFC

L4981 - L4981A：固定频率，平均电流模式； L4981B：线性调制频率，平均电流模式

L4984D - CCM PFC控制器

L4985-具有高压启动功能的连续导通模式 (CCM) PFC 控制器

L4986 - 连续导通模式（CCM）PFC控制器具有高压启动和“电源正常”功能

L6562A - 过渡模式PFC控制器BCD技术

L6562AT - 过渡模式PFC控制器

L6563 - 高级过渡模式PFC控制器

L6563A - 高级过渡模式PFC控制器

L6563H - 高压启动过渡模式PFC

L6563S - 增强型过渡模式PFC控制器

L6564 - 10引脚过渡模式PFC控制器

L6564T - 用于户外应用的10引脚过渡模式PFC控制器

2、功率MOSFET：

STL24N60M6 - N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、15 A MDmesh M6功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装

STB18N60M6 - N沟道600 V、230 mOhm典型值、13 A MDmesh M6功率MOSFET，D2PAK封装

STB24N60M6 - N沟道600 V、162 mOhm典型值、17 A MDmesh M6功率MOSFET，D2PAK封装

STD12N60M6-采用 DPAK 封装的 N 沟道 600 V、0.29 欧姆（典型值）、12 A MDmesh M6 功率 MOSFET

STD13N60M6-采用 DPAK 封装的 N 沟道 600 V、320 mOhm（典型值）、10 A MDmesh M6 功率 MOSFET

STD16N60M6 - N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET，DPAK封装

STD18N60M6 - N沟道600 V、230 mOhm典型值、13 A MDmesh M6功率MOSFET，DPAK封装

STF24N60M6 - N沟道600 V、162 mOhm典型值、17 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-220FP封装

STL17N60M6 - N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET，PowerFLAT 8x8封装

STL19N60M6-采用 PowerFLAT 8x8 HV 封装的 N 沟道 600 V、255 mOhm（典型值）、11 A MDmesh M6 功率 MOSFET

STL33N60M6 - N沟道600 V、115 mOhm典型值、21 A MDmesh M6功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装

STO24N60M6-采用 TO-LL 封装的 N 沟道 600 V、162 mOhm（典型值）、17 A MDmesh M6 功率 MOSFET

STP24N60M6 - N沟道600 V、162 mOhm典型值、17 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-220封装

STW24N60M6 - N沟道600 V、162 mOhm典型值、17 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-247封装

3、脉宽调制控制器

STCH03 - 用于低待机功率适配器的离线PWM控制器

4、高压工业驱动器

MASTERGAN2-具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

MASTERGAN3 - 高功率密度600 V半桥驱动器，配两个增强模式GaN HEMT

MASTERGAN4-具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

MASTERGAN5-具有两个增强模式 GaN 功率 HEMT 的高功率密度 600 V 半桥驱动器

5、谐振与准谐振控制器

L6599A - 改进的高压谐振控制器

L6598 - 谐振控制器

L6599AF - 改进的高压谐振控制器，超极端温度范围

L6599AT - 改进的高压谐振控制器

L6699 - 功能增强的高压谐振控制器

ST-ONEHP - 用于USB-PD 3.1扩展功率范围（EPR）充电器的完全集成控制器

ST-ONEMP - 面向多端口智能充电器的完全集成式控制器

STCMB1 - 具有X-cap放电的TM PFC和LLC谐振组合控制器

STNRG011 - 数字式Combo多模PFC和时移LLC谐振控制器

STNRG011A - 数字式Combo多模PFC和时移LLC谐振控制器

STNRG012 - 数字式Combo多模PFC和时移LLC谐振控制器用于交流和直流输入线路

STNRG328S-用于 STC/HSTC 拓扑的数字控制器

STNRG388A - 用于功率转换应用的数字控制器，具有最多6个可编程PWM发生器和96 MHz PLL

6、二极管和整流器

STTH3L06 - 600 V、3 A低压降超高速二极管

STTH5L06 - 600 V、5 A低压降超高速二极管

STTH1L06 - 600 V、1 A低压降超高速二极管

STTH2L06 - 600 V、2 A低压降超高速二极管

STTH4L06 - 600 V、4 A低压降超高速二极管

STTH8L06 - 600 V、8 A低压降超高速二极管

STTH1R06 - 600 V、1 A Turbo 2超高速二极管

STTH2R06 - 600 V、2 A Turbo 2超高速二极管

STTH3R06 - 600 V、3 A Turbo 2超高速二极管

STTH506 - 600 V，5 A超高速二极管

STTH506D - 600 V、5 A串联超高速升压二极管

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