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代理销售TI德州仪器旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为大家代理德州仪器100A 双相数字控制电池测试仪参考设计。本篇内容包含:该设计的特点、设计参数、应用领域、设计文件及该设计所需芯片等内容。
该参考设计演示了一种使用 C2000™ 微控制器 (MCU) 和精密 ADC ADS131M08 精确控制双向交错降压转换器功率级的电流和电压的方法。该设计利用 C2000 MCU 的高分辨率脉宽调制 (PWM) 生成外设,实现了低于 ±20mA 的电流调节误差和 ±1mV 的电压调节误差。
双相交错 600W 双向降压功率级
100kHz 开关频率下的 15.8 位 PWM 分辨率
用于闭环控制的外部 delta-sigma ADC
恒流充放电调节误差<±20mA
充电和放电均支持恒压模式,调节误差<±1 mV
输出电压选项:TIDA-010087.1
Vin(最小)(V):12
输入电压(最大)(V):15
Vout(标称)(V):6
Iout(最大)(A):100
输出功率(瓦):600
隔离/非隔离:非隔离式
输入类型:直流
拓扑结构:降压同步
工业电池测试
中芯巨能提供即用型系统文件以加快您的设计过程。如需以下文件,请加客服微信:13310830171
文件1内容包含:参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等
文件2内容包含:设计布局和元件的详细原理图
文件3内容包含:设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表
文件4内容包含:IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件
文件5内容包含:包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件
LMR54410 — 具有 80μA IQ 的 SIMPLE SWITCHER® 电源转换器 4.5V 至 36V、1A、同步降压
TMS320F2800155 — 具有 HRPWM、CAN-FD 功能的 C2000™ 32 位 MCU 120MHz 128KB 闪存
TMS320F2800157 — 具有 HRPWM、CAN-FD 功能的 C2000™ 32 位 MCU 120MHz 256KB 闪存
TMS320F280023 — 具有 100MHz、FPU、TMU、64kb 闪存的 C2000™ 32 位 MCU
TMS320F280023C — 具有 100 MHz、FPU、TMU、64 KB 闪存、CLB 的 C2000™ 32 位 MCU
TMS320F280025 — 具有 100MHz、FPU、TMU、128kb 闪存的 C2000™ 32 位 MCU
TMS320F280025C — 具有 100MHz、FPU、TMU、128kb 闪存、CLB 的 C2000™ 32 位 MCU
TMS320F280034 — C2000™ 32 位 MCU 120MHz 128KB 闪存、FPU、TMU,具有 CLA、AES 和 CAN-FD
TMS320F280037 — C2000™ 32 位 MCU 120MHz 256KB 闪存、FPU、TMU,具有 CLA、AES 和 CAN-FD
TMS320F280039 — C2000™ 32 位 MCU 120MHz 384KB 闪存、FPU、TMU,具有 CLA、AES 和 CAN-FD
TMS320F280041C — 具有 100MHz、FPU、TMU、128kb 闪存、InstaSPIN-FOC、CLB、PGA、SDFM 的 C2000™ 32 位 MCU
TMS320F280045 — 具有 100 MHz、FPU、TMU、256 KB 闪存、PGA、SDFM 的 C2000™ 32 位 MCU
LM2664 — 1.8V 至 5.5VIN 开关电容器电压逆变器
LM321LV — 单路、5.5V、1MHz、3mV 失调电压运算放大器
TLV9102 — 双路、16V、1.1MHz、低功耗运算放大器
UCC27211 — 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器
TPS736 — 具有反向电流保护和使能功能的 400mA、高精度、超低压降稳压器
CSD16570Q5B — 25V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、单 SON 5 mm x 6 mm、0.82 mOhm
REF35 — 650nA 静态电流、12ppm/°C 漂移、超低功耗精密电压基准
TVS0500 — 5V平钳浪涌保护器
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