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Microchip推出3.3 kV XIFM mSiC™栅极驱动器,助力碳化硅技术在高压应用领域的快速采用

来源:Microchip官网| 发布日期:2024-02-23 15:48:20 浏览量:

Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)日前推出了采用Augmented Switching™ 专利技术的3.3 kV XIFM即插即用mSiC™栅极驱动器,旨在帮助开发人员快速部署SiC解决方案,推动碳化硅(SiC)技术在交通、电网和重型汽车等中高压应用领域的广泛应用。

这款栅极驱动器采用预配置模块设置,开箱即用,大大缩短了设计和评估时间。XIFM数字栅极驱动器结构紧凑,具备数字控制、集成电源和可提高抗噪能力的坚固光纤接口。其预配置的“开/关”栅极驱动曲线可量身定制,以优化模块性能。

Microchip推出3.3 kV XIFM mSiC™栅极驱动器

该栅极驱动器具有10.2 kV初级到次级强化隔离,内置监控和保护功能,包括温度和直流链路监控、欠压锁定(UVLO)、过压锁定(OVLO)、短路/过流保护(DESAT)和负温度系数(NTC)。此外,该栅极驱动器符合铁路应用的重要规范EN 50155标准。

Microchip碳化硅业务部副总裁Clayton Pillion表示:“Microchip推出3.3 kV即插即用mSiC栅极驱动器等交钥匙解决方案,使电源系统开发商更容易采用宽带隙技术。通过预配置栅极驱动电路,该解决方案可将设计周期缩短50%,为碳化硅市场的发展和更高电压极限的突破提供了有力支持。”

Microchip在SiC器件和电源解决方案领域拥有20多年的丰富经验,能够帮助客户轻松、快速、放心地采用SiC。Microchip的mSiC™产品系列包括SiC MOSFET、二极管和栅极驱动器,提供标准、修改和定制选项,为客户提供最低的系统成本、最快的上市时间和最低的风险。如需数据手册、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。

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