ST的STGAP2SICSA：汽车级别的SiC MOSFET栅极驱动器解决方案

来源：ST意法半导体官网| 发布日期：2024-02-27 12:02:20 浏览量：

意法半导体（ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器以其稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合而闻名。这些驱动器集成了高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适用于各种应用。在安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为首选解决方案，通过提供电气隔离确保输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间的无缝集成和优质性能。

选择正确的栅极驱动器对于实现最佳功率转换效率至关重要，特别是随着SiC技术的广泛应用。ST的STGAP系列电气隔离栅极驱动器在这一领域扮演着不可或缺的角色。STGAP2SICS系列专为SiC MOSFET的安全控制进行了优化，可在高达1200V的高压下运行，成为节能型电源系统、驱动器和控制装置的理想选择。从工业电动汽车充电系统到太阳能、感应加热和汽车OBC DC-DC，STGAP2SICS系列都能简化设计、节省空间并增强稳健性和可靠性。

STGAP2SICSA是符合汽车AEC-Q100标准的单通道栅极驱动器，专为控制SiC MOSFET而设计。它采用了窄体SO-8封装（型号：STGAP2SICSAN）和宽体SO-8W封装（型号：STGAP2SICSA），通过精确的PWM控制提供强大性能。

STGAP2SICSA在栅极驱动通道和低压控制之间实现了电气隔离，可在高达1700V（SO-8）和1200V（SO-8W）的电压下工作。其小于45ns的输入到输出传播时间确保高PWM精度，并通过±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI)实现可靠的开关。内置的保护功能包括欠压锁定（UVLO），防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出调低。

STGAP2SICSA具有带米勒钳位功能的单输出配置，增强了高频硬开关应用的稳定性，利用米勒钳位来防止电源开关振荡。

STGAP2SICSA的逻辑输入低至3.3V，并与TTL和CMOS逻辑兼容，简化了与主机微控制器或DSP的连接。该驱动器可在高达26V的栅极驱动电压下的推拉电流高达4A。具有独立输入引脚的关断模式有助于最大限度地降低系统功耗。如需数据手册、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

最近，ST宣布与致瞻科技（ZINSIGHT）建立合作伙伴关系。ZINSIGHT是全球唯一一家在新能源汽车400V、800V、1000V平台上成熟量产基于碳化硅方案的电动压缩机控制器企业。ST的第三代SiC MOSFET和隔离栅极驱动技术成功应用于ZINSIGHT的电动压缩机解决方案，推动了新能源汽车电动压缩机控制技术的革新。

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