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英飞凌（Infineon）最新推出的2ED2106S06F评估板，采用半桥配置，配备英飞凌绝缘硅（SOI）栅极驱动器和两个MOSFET（IPD60R360P7）。该评估板旨在测试栅极驱动器的基本功能和特性，为用户提供了一个便捷的平台，用于测试PWM输入输出性能、传播延迟、电流能力以及高开关频率性能，并可进行双脉冲测试。
- 评估板型号：EVAL-2ED2106
- 使用的器件：
- 栅极驱动器：2ED2106S06F
- MOSFET：IPD60R360P7
- 工作电压高达+650V，适用于高压应用。
- 采用英飞凌SOI技术，具有卓越的性能和稳定性。
- 负压VS瞬态抗扰度为100V，能够应对各种电路环境。
- 集成式低欧姆自举二极管，设计更简化，性能更可靠。
- 专为自举电路设计，满足特定应用需求。
- 最大电源电压为25V，适用于多种电源环境。
- 欠压锁定(UVLO)功能，提供更高的系统安全性。
- 传播延迟仅为200ns，响应速度快，效率高。
- VS引脚上的逻辑工作电压最高可达-11V，具有较宽的工作电压范围。
- -5V输入端的负电压容差，更适应复杂的电路环境。
- 降低BOM成本并节省空间，提高系统成本效益。
- 电平转移损耗降低50%，提高了能源利用效率。
- 出色的坚固性和抗噪能力，适用于各种恶劣环境下的应用场景。
- 家用电器：如电磁炉、洗衣机、冰箱等。
- 电机控制和驱动器：包括电动车辆、电机驱动器等。
- 开关电源(SMPS)：用于各种电源转换和稳压应用中。
英飞凌2ED2106S06F评估板为用户提供了一个便捷的测试平台，展示了该产品在高性能、稳定性和可靠性方面的优势。它的广泛应用价值和适用领域将为电子工程师和设计人员带来更多创新和应用可能性。如需数据手册、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
英飞凌科技近期推出了全新的CoolSiC™ MOSFET 400V G2系列产品，该产品将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻相结合，显著提升了系统成本效益。400V SiC MOSFET特别适用于2电平和3电平硬开关及软开关拓扑，能够提供卓越的功率密度和系统效率。主要应用领域包括人工智能服务器电源供应...【详情+】
2024年11月5日，英飞凌科技的CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块（包括EasyPACK™ 3B封装和62mm封装）凭借其市场领先的产品设计和卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, WEAA）“年度高性能无源/分立器件”（High Performance Pas...【详情+】
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