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Vishay近日推出了五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块，为设计人员提供了更多的技术选项和灵活性。这些新型器件由VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N组成，采用了Vishay的Trench IGBT技术制造，旨在降低运输、能源和工业应用中的大电流逆变级的导通或开关损耗。
这些半桥器件利用Vishay的Trench IGBT技术，与第四代FRED Pt®超软反向恢复二极管封装在一起，提供了比市场上其他器件更好的节能效果。模块采用小型INT-A-PAK封装，具有新型栅极引脚布局，与34mm工业标准封装完全兼容，可以通过机械插接方式进行更换。
这些工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备、发电配电和储能系统、焊接设备、电机驱动器和机器人。其中，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125°C额定电流下，具有极低的集电极至发射极电压（≤1.07V），可降低TIG焊机输出级的导通损耗，达到了行业领先水平。而VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，具有极低的开关损耗，在+125°C额定电流下，Eoff仅为1.0mJ。
这些模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650V，集电极连续电流为100A至200A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，具有较小的EMI，并减少了对吸收电路的需求。Vishay的这一系列新型INT-A-PAK封装半桥IGBT功率模块将为工业应用领域带来更高效、更可靠的解决方案。
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