英飞凌推出CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET技术，引领能源转换新风潮

来源：英飞凌官网| 发布日期：2024-03-12 11:38:15 浏览量：

近日，英飞凌(Infineon)发布了全新的CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET技术，为功率系统和能量转换开启了全新篇章。这一新一代技术在确保质量和可靠性的基础上，将MOSFET的关键性能指标提高了20%，包括能量和电荷储量，从而提升了整体能效，推动了低碳化进程。

CoolSiC™ G2技术继续发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗提高功率转换效率，为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等领域带来了巨大优势。采用CoolSiC™ G2的电动汽车直流快速充电站可减少10%的功率损耗，实现更高的充电功率而不增加外形尺寸。此外，基于CoolSiC™ G2器件的牵引逆变器还可增加电动汽车的续航里程。在可再生能源领域，CoolSiC™ G2的太阳能逆变器不仅保持高功率输出，还实现更小尺寸，降低每瓦成本。

英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer博士表示，采用高效新技术产生、传输和消耗能量是当前大趋势。CoolSiC™ MOSFET G2技术将碳化硅性能提升到新水平，使厂商能够设计出成本更低、结构更紧凑、性能更可靠、效率更高的系统，减少每瓦二氧化碳排放，持续推动工业、消费、汽车领域的低碳化和数字化创新。

英飞凌的CoolSiC™ MOSFET沟槽栅技术为高性能CoolSiC™ G2解决方案的发展铺平道路，提供更优化的设计选择，具有更高效率和可靠性。结合.XT封装技术，英飞凌进一步提升了基于CoolSiC™ G2的设计潜力，提供更高导热性、更优封装控制和更出色性能。

英飞凌凭借对硅、碳化硅和氮化镓(GaN)等关键功率技术的掌握，提供灵活设计和领先应用知识，满足现代设计的需求。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)材料的创新半导体已成为能源高效利用的关键，在推动低碳化进程中发挥着重要作用。

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