意法半导体推出基于18纳米FD-SOI技术的ePCM嵌入式处理器制造工艺

来源：意法半导体官网| 发布日期：2024-03-27 11:18:16 浏览量：

近日，意法半导体（ST）宣布推出一项基于18纳米全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术并整合嵌入式相变存储器（ePCM）的先进制造工艺，旨在支持下一代嵌入式处理器的升级进化。这一创新工艺是意法半导体与三星晶圆代工厂共同开发的，旨在实现嵌入式处理应用性能和功耗的巨大飞跃，同时能够集成更大容量的存储器和更多模拟和数字外设。首款基于这一新技术的下一代STM32微控制器产品将于2024年下半年开始向部分客户提供样品，预计2025年下半年将进行量产。

Remi El-Ouazzane，意法半导体微控制器、数字IC和射频产品部总裁表示：“作为半导体行业的创新领军企业，意法半导体率先推出汽车级和航天级FD-SOI和PCM技术，让工业应用开发者也能享受到这些先进技术带来的诸多好处。”

技术优势方面，18纳米FD-SOI制造工艺集成ePCM相较于目前使用的ST 40nm嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术，带来了以下关键优势：

1. 性能功耗比提高50%以上；

2. 非易失性存储器（NVM）密度是现有技术的2.5倍，可实现更大容量的存储器集成；

3. 数字电路密度是现有技术的三倍，可集成人工智能、图形加速器等数字外设，以及先进的安全保护功能；4. 噪声系数改善3dB，增强了无线MCU的射频性能。

该工艺的工作电源电压为3V，可为电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器等模拟功能供电，是20纳米以下唯一支持此功能的半导体工艺技术。此外，该技术经过汽车市场验证，具有耐高温工作、辐射硬化和数据保存期限长的特点，能够满足工业应用对可靠性的严格要求。

这一具有成本竞争力的技术将为开发人员带来新型高性能、低功耗、无线MCU。大存储容量将支持市场对边缘人工智能处理、多射频协议栈、无线更新和高级安全功能的不断增长需求。高处理性能和大存储容量将鼓励开发者转向集成度更高、成本效益更高的微控制器。首款基于该技术的微控制器将集成ARM最先进的Cortex-M内核，为机器学习和数字信号处理应用提供更强大的运算性能，并具备快速、灵活的外部存储器接口、先进的图形功能以及众多模拟和数字外设。如需采购意法半导体微控制器等产品、申请样片测试、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

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