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近日，纳芯微宣布推出其首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该系列以其出色的RDSon性能及多样化的封装形式，为电动汽车、光伏、储能系统等领域提供了全新的高效解决方案。
NPC060N120A系列产品以其独特的60mΩ RDSon特性和通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，满足了不同应用场景的需求。同时，该系列还提供了车规与工规两种等级选择，为各类用户提供了更灵活的选择空间。
纳芯微的碳化硅MOSFET产品拥有卓越的RDSon温度稳定性，能够在不同温度下保持稳定的性能。此外，其门极驱动电压覆盖度更宽，支持-8~22V的栅极驱动电压范围，且在+18V驱动模式下，RDSon可降低20%，大大提高了能源利用效率。
在产品特性方面，NPC060N120A还展现了出色的阈值电压一致性，其Vth在25°C~175°C范围内保持在2.0V~2.8V之间，确保了产品的稳定性和可靠性。同时，其体二极管正向压降低且稳健性高，进一步提升了产品的性能表现。
为了确保碳化硅MOSFET产品的高可靠性，纳芯微在功率产品开发中实施了严格的质量控制。所有碳化硅产品均经过100%静态电参数测试和抗雪崩能力测试，确保产品的稳定性和安全性。此外，纳芯微还执行比AEC-Q101更加严格的测试条件进行产品可靠性验证，如下图：
如在严苛的HV-H3TRB测试中，NPC060N120A在1000小时可靠性测试后仍展现出优异的稳定性。
NPC060N120A系列产品凭借其卓越的性能和严格的质量控制，将为电动汽车(EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能系统(ESS)以及不间断电源(UPS)等领域提供高效、可靠的解决方案，推动这些领域的持续发展。
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