意法半导体在碳化硅与氮化镓领域取得显著进展

来源：意法半导体官网| 发布日期：2024-04-25 12:00:01 浏览量：

意法半导体近日宣布，其在碳化硅领域的收入已突破11.4亿美元大关，展现了公司在这一市场的领先地位。这一骄人成绩不仅凸显了意法半导体在宽禁带材料（WBG）技术领域的深厚实力，更彰显了其对于创新技术的持续投入与追求。

据悉，意法半导体的技术突破不仅体现在碳化硅领域，还成功解决了传统技术中的平面结构和硅片良率问题。Muggeri表示：“我们成功降低了SiC晶体管中衬底的成本占比，这是一项具有里程碑意义的技术突破，为行业的发展注入了新的活力。”

意法半导体也看到了氮化镓市场的巨大潜力。尽管目前氮化镓技术相较于碳化硅尚显稚嫩，但其高频率和功率密度的优势使得它在缩小无源器件尺寸和提高效率方面展现出了巨大的应用前景。意法半导体的MasterGaN和VIPerGaN技术正是针对这一市场需求而精心研发的，旨在为客户提供更加高效、可靠的电源解决方案。

意法半导体将碳化硅和氮化镓视为互补技术，可全面覆盖几乎所有商用功率水平。这两种技术的不同特性可在不同系统和工作条件下提供特定优势，从而满足各种复杂应用场景的需求。意法半导体能够同时提供这两种WBG技术，并为客户提供广泛和高度专业化的支持，使其成功跻身可持续电源解决方案最佳半导体垂直整合制造商（IDM）之列。

在实际应用中，意法半导体的碳化硅和氮化镓技术已经取得了显著的成效。例如，在电动汽车（EV）充电站中，SiC-GaN混合三相逆变器的应用使得从电网向电池传输电力的过程更加高效，同时GaN的高开关频率也实现了功率因数校正和波形滤波。此外，在2.5-5 kW电信服务器转换器中，图腾柱级使用SiC，LLC级使用GaN，实现了高频操作，进一步提升了系统的效率和性能。

在汽车领域，意法半导体也在积极探索SiC-GaN混合配置的应用，以优化电动汽车牵引逆变器应用的性价比。这一举措不仅有助于提升电动汽车的性能和效率，也为汽车行业的可持续发展注入了新的动力。

在供应链方面，意法半导体同样表现出色。公司拥有自己的衬底生产线，并在瑞典、意大利等地进行了投资，以确保供应链的稳定性和可靠性。同时，意法半导体还在中国开展了投资活动，旨在满足中国市场对碳化硅的巨大需求，并与中国的合作伙伴共同解决半导体市场的供需问题。如需采购意法半导体芯片、申请样片测试、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

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