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4月19日消息,全球领先的存储器供应商SK海力士今日宣布,为进一步加强HBM产品的生产及推动先进封装技术的发展,公司已与全球顶级逻辑代工企业台积电达成战略合作,并签署了谅解备忘录(MOU)。根据计划,双方将共同开发预计在2026年投产的第六代HBM产品——HBM4。
作为AI应用存储器领域的佼佼者,SK海力士表示,此次与台积电的合作将有力推动HBM技术的创新。通过构建包括IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂在内的三方技术合作体系,双方将共同实现存储器产品性能的新突破。
在合作过程中,两家公司将首先聚焦于HBM封装内的最底层基础裸片(BaseDie)的性能改善。HBM是通过将多个DRAM裸片(CoreDie)堆叠在基础裸片上,并通过硅通孔(TSV)技术进行垂直连接而成,而基础裸片则连接至GPU,对HBM进行控制。此次合作将致力于优化这一结构,提升整体性能。
SK海力士从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑(Logic)工艺来制造基础裸片。采用超细微工艺将为基础裸片增添更多功能,进而生产出性能和功效更广泛满足客户需求的定制化(Customized)HBM产品。
双方还将合作优化SK海力士的HBM产品与台积电的CoWoS技术融合。CoWoS是台积电独有的制程工艺,通过在特殊基板上搭载并连接逻辑芯片和HBM,实现了2D封装基板上的逻辑芯片与垂直堆叠(3D)HBM的集成,形成了一种2.5D封装技术。通过这一技术的融合,双方将共同应对HBM相关客户的要求,提供更优质的解决方案。
SK海力士AI Infra担当社长金柱善表示:“通过与台积电的合作伙伴关系,我们不仅将开发出最高性能的HBM4,还将积极拓展与全球客户的开放性合作。未来,我们将致力于提升客户定制化存储器平台的竞争力,以巩固我们作为‘面向AI的存储器全方位供应商’的地位。”
台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长张晓强也对此次合作表示了积极态度:“多年来,台积电与SK海力士已建立了稳固的合作伙伴关系。通过结合最先进的逻辑工艺和HBM产品,我们已向市场提供了全球领先的AI解决方案。展望新一代HBM4,我们相信两家公司通过密切合作将提供最佳的整合产品,为我们的共同客户开展新的AI创新提供关键推动力。”
此次SK海力士与台积电的合作,无疑将推动HBM技术的进一步发展,为AI应用带来更为强大的存储支持。双方的合作也将加强彼此在全球半导体市场的地位,共同迎接未来的挑战与机遇。