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Nexperia（安世半导体）最近宣布推出了行业领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，这些产品采用D2PAK-7表面贴装器件（SMD）封装，可供选择的RDson值为30、40、60和80 mΩ。此次推出的产品是继2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的新增产品，这将使Nexperia的SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括具有17、30、40、60和80 mΩ RDson值且封装灵活的器件。
Nexperia此次推出的NSF0xx120D7A0产品针对市场对采用D2PAK-7等SMD封装的高性能SiC开关需求不断增长，这种开关在电动汽车（EV）充电桩、不间断电源（UPS）以及太阳能和储能系统（ESS）逆变器等各种工业应用中越来越受欢迎。这也进一步证明了Nexperia与三菱电机公司（MELCO）之间成功的战略合作伙伴关系，两家公司联手将SiC宽带隙半导体的能效和电气性能推向了新的高度，同时还提高了该技术的未来生产能力，以满足不断增长的市场需求。
RDson是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商通常只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，RDson相比室温下的标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的传导损耗。Nexperia发现这也是目前市场上许多SiC器件性能受限的因素之一，而新推出的SiC MOSFET采用了创新的工艺技术特性，实现了业界领先的RDson温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDson的标称值仅增加了38%。
另外，严格的阈值电压VGS(th)规格使这些MOSFET分立器件在并联时能够提供平衡的载流性能。较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件的稳健性和效率，同时还能放宽对续流操作的死区时间要求。如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
2023年，Nexperia从多个角度高度关注绿色能源转型。在公司不懈的努力下，环境、社会和治理（ESG）原则得到了进一步巩固，为更加可持续的未来奠定了基础。同时，Nexperia还取得了多项重要成就，标志着其在环保领域的积极探索与实践。Nexperia发布了首份ESG报告，明确了对环境、社会和治理的承...【详情+】
Nexperia的电压电平转换器采用引脚兼容封装，提供行业标准管脚尺寸，具有较低的电压和出色的性能。这些双向电平转换器适用于各种需要在多个域中转换电压信号的应用，并作为不同电源和I/O电压电平之间的接口。通过自动方向检测，无需外部方向引脚，这些系列可与新款低电压微处理器相匹配...【详情+】
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