Littelfuse发布全新IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器

来源：Littelfuse官网| 发布日期：2024-05-23 10:26:36 浏览量：

Littelfuse宣布推出了IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器，旨在驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。

IX4352NE低侧栅极驱动器

IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置，以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。该驱动器的工作电压范围（VDD - VSS）高达35V，具有出色的灵活性和性能。

IX4352NE的特色之一是配备了内部负电荷泵调节器，无需外部辅助电源设备或DC/DC转换器。这一功能特别适用于关断SiC MOSFET，可以节省外部逻辑电平转换器电路通常所需的空间。逻辑输入与标准TTL或CMOS逻辑电平兼容，进一步提升了节省空间的能力。

IX4352NE非常适合用于各种工业应用中的SiC MOSFET驱动，包括车载和非车载充电器、功率因数校正（PFC）、DC/DC转换器、电机控制器以及工业电源逆变器。其卓越性能使其成为电动汽车、工业、替代能源、智能家居和楼宇自动化市场中对电力电子应用要求严苛的理想选择。

IX4352NE简化了电路设计并提供了更高的集成度，具备内置保护功能，包括带软关断灌电流驱动器的去饱和检测（DESAT）、欠压锁定（UVLO）以及热关断（TSD）等，确保功率器件和栅极驱动器得到充分保护。集成的开漏FAULT输出可发送故障信号至微控制器，提升了系统的安全性和可靠性。此外，IX4352NE还可节省宝贵的PCB空间，提高电路密度，有助于提高整体系统效率。

IX4352NE相较于现有的IX4351NE有明显改进，包括由DESAT触发的安全软关断、高阈值精度热关断、以及热关断期间电荷泵的工作能力。新款IX4352NE与引脚兼容，可无缝替换指定使用现有Littelfuse IX4351NE的设计，该设计于2020年发布。

Littelfuse集成电路部（SBU）产品经理June Zhang表示：“IX4352NE通过引入一种新型9A拉/灌电流驱动器，扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列，为SiC MOSFET的栅极驱动电路带来了简化。”他还指出，“其各种内置保护功能和集成电荷泵提供了可调的负栅极驱动电压，有助于提高dV/dt抗扰度和关断速度。因此，该产品可用于驱动任何SiC MOSFET或功率IGBT，无论是Littelfuse器件还是市场上其他类似器件。”如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

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