安森美发布第7代1200V QDual3绝缘栅双极晶体管功率模块，助力能源管理效率提升

来源：安森美官网| 发布日期：2024-06-12 14:18:01 浏览量：

安森美（onsemi）近日推出了最新的第7代1200V QDual3绝缘栅双极晶体管（IGBT）功率模块。这款模块相较于其他同类产品具有更高的功率密度，并提供高达10%的额外输出功率。基于新的场截止第7代（FS7）IGBT技术的800安培（A） QDual3模块，带来了业界领先的能效表现，有助于降低系统成本并简化设计。

适用于150千瓦逆变器的QDual3模块，与同类产品相比可以减少200瓦（W）的损失，大大缩减了散热器的尺寸。这款模块专为在恶劣条件下工作而设计，非常适用于大功率变流器，例如太阳能发电站中央逆变器、储能系统（ESS）、商用农业车辆（CAV）和工业电机驱动器。目前，用户可以根据不同的应用需求选择NXH800H120L7QDSG和SNXH800H120L7QDSG这两种产品。

随着可再生能源采用率不断增加，对高峰需求管理和持续供电保障等相关解决方案的需求也在逐渐增长。为了维持电网的稳定性并降低成本，必须在电力需求高峰时段削减用电量，采取削峰填谷的措施。借助QDual3模块，制造商可以设计出在相同系统尺寸下功率更强的太阳能逆变器和储能系统，提高能源管理效率，增强储存能力，从而更顺畅地将太阳能电力并入电网。

此外，该模块支持将多余的电力储存在储能系统中，有效缓解太阳能发电的间歇性问题，确保供电的可靠性和稳定性。对于大型系统应用，可以通过并联多个模块来提升输出功率，达到数兆瓦级别。相较于传统的600A模块解决方案，800A的QDual3模块明显减少所需模块数量，大大简化设计复杂度并降低系统成本。

QDual3 IGBT模块采用800A半桥配置，集成了新的第7代沟槽场截止IGBT和二极管技术，结合了安森美的先进封装技术，有效降低了开关损耗和导通损耗。借助FS7技术，裸片尺寸减小了30%，每个模块能容纳更多裸片，提高了功率密度，最大电流容量可达800A或更高。该800A QDual3模块的IGBT Vce(sat)仅为1.75V（175℃），Eoff也较低，能量损耗比最接近的替代方案低10%。此外，QDual3模块还满足严格的汽车应用标准。如需产品规格书、选型指导、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

上一篇：德州仪器无线 MCU 系列件在 Krabo 物联网螺栓中的应用

下一篇： ROHM推出超小型CMOS运算放大器“TLR377GYZ” 革新智能手机和物联网设备传感器信号放大