瑞萨电子完成对Transphorm的收购，加速GaN功率半导体产品推出

来源：瑞萨电子官网| 发布日期：2024-06-25 14:00:01 浏览量：

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布已完成对氮化镓（GaN）功率半导体全球供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）的收购。这一举措将加速瑞萨电子为满足宽禁带（WBG）半导体产品需求而推出的GaN功率产品和相关参考设计。

GaN和碳化硅（SiC）等WBG材料拥有出色的功率效率、高开关频率和较小占用空间，被看作下一代功率半导体的关键技术，与传统硅基器件相比具有明显优势。在电动汽车（EV）、变频器、数据中心服务器、人工智能（AI）、可再生能源、工业电源转换和消费应用等领域的需求推动下，GaN和SiC产品未来十年都预计将实现快速增长。

Ren esas Power高级副总裁兼总经理Chris Allexandre表示，通过整合两家公司技术的参考设计，客户可以立即受益于新的GaN产品。将GaN产品加入产品阵容中，也进一步表明了瑞萨电子致力于开发让人们生活更便利的产品和技术的承诺。提供强大、可持续的电源解决方案，节约能源、降低成本并最大限度减少对环境的影响是他们实现目标的途径之一。

投资电源业务是瑞萨实现可持续长期增长战略的重要组成部分。除了收购Transphorm，瑞萨还采取了其他举措，如在甲府工厂开设专门生产电源产品的300 mm晶圆厂、在高崎工厂增设新的SiC生产线，并与Wolfspeed达成协议以确保未来10年SiC晶圆的稳定供应。现在GaN技术已成为瑞萨产品阵容的一部分，他们准备提供更全面的电源解决方案，以满足客户在广泛应用领域不断变化的需求。

同时，瑞萨还宣布推出了15款全新成功产品组合，这些参考设计可立即投入市场，将新的GaN产品与瑞萨的嵌入式处理、电源、连接和模拟产品相结合。其中包括使用Transphorm的汽车级GaN技术的车载电池充电器和电动汽车三合一动力系统解决方案。

Transphorm成立于2007年，总部位于美国加利福尼亚州戈利塔，源自加州大学圣巴巴拉分校和宽带行业，以独特的技术创新为基础。作为GaN半导体领域的创新者，Transphorm设计、制造和销售高性能、高可靠性的GaN电源产品，广泛应用于各种高压电源转换应用。如需瑞萨电子产品、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

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