MOS管输入电阻高，为何一遇静电就“不行”？

来源：中芯巨能：提供选型指导+现货供应+技术支持| 发布日期：2024-06-28 18:00:02 浏览量：

MOS管是一种常用的场效应管，其输入电阻通常很高，这使得它在许多电路中具有重要的作用。然而，有时候我们会发现，即使MOS管的输入电阻很高，一旦遇到静电，它就似乎变得“不行”了。那么，究竟是什么原因导致MOS管在静电作用下表现出异常的现象呢？

首先，让我们来了解一下MOS管的基本结构和工作原理。MOS管由金属氧化物半导体构成，其中包括金属栅极、绝缘氧化物层和半导体基片。当在栅极上加上适当的电压时，形成在半导体基片内部的导电通道，从而控制了器件的导通状态。而MOS管的输入电阻高主要是由于栅极与通道之间的氧化物层具有很高的电阻。

然而，当MOS管受到静电的影响时，静电可能会在氧化物层中产生放电现象，导致栅极和通道之间出现瞬间的电荷通道，从而改变了器件的电性能。这种静电放电会导致氧化物层遭到损坏，进而影响MOS管的工作状态。特别是在静电放电的瞬间，它可能会在器件内部形成热点，造成局部温升，进而导致氧化物层压电效应改变，从而影响通道内的电荷传输，最终导致器件失效。

另外，静电还可能通过栅极对设备进行损坏。由于MOS管的结构特殊，栅极是通过绝缘氧化物层与半导体基片隔离的，静电可能会在这两者之间形成击穿现象，直接影响器件的工作性能。尤其是在静电场的作用下，这种击穿现象更容易发生，进而导致设备损坏。

因此，尽管MOS管的输入电阻很高，但在遇到静电时仍可能出现“不行”的情况。静电对MOS管的影响主要表现在两个方面：一是导致静电放电瞬间的局部温升和热点形成，损坏了氧化物层；二是通过栅极对器件造成击穿现象，影响了器件的工作性能。因此，在设计电路时，应考虑到静电对MOS管的不利影响，采取相应的防护措施，以确保器件的正常工作和长期稳定性。

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