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欧洲半导体厂商Nexperia宣布在汉堡投资2亿美元发展宽禁带半导体产品

来源:Nexperia官网| 发布日期:2024-06-28 09:28:51 浏览量:

近日,全球知名半导体制造商Nexperia(安世半导体)宣布计划在汉堡工厂投资2亿美元(约合1.84亿欧元),用于研发下一代宽禁带半导体产品,包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),并建立生产基础设施。同时,公司还将增加硅(Si)二极管和晶体管的产能。这一重大投资是为了庆祝该工厂成立100周年,并由汉堡经济部长Melanie Leonhard博士与Nexperia共同宣布。

为满足高效功率半导体不断增长的需求,Nexperia将从2024年6月开始在德国进行SiC、GaN和Si等三种技术的研发和生产。这一举措彰显了Nexperia对电气化和数字化领域关键技术的强大支持。SiC和GaN半导体使数据中心等高功率应用能够以出色效率运行,同时也是可再生能源和电动汽车等领域的核心组件。这些宽禁带技术具有巨大潜力,对实现脱碳目标至关重要。

欧洲半导体厂商Nexperia宣布在汉堡投资2亿美元发展宽禁带半导体产品

Nexperia德国首席运营官兼常务董事Achim Kempe表示:该投资巩固了公司作为节能半导体领先供应商的地位,使其能够更负责任地利用可用电能。未来,汉堡工厂将覆盖全系列宽禁带半导体产品,同时仍是最大的小信号二极管和晶体管工厂。公司将继续执行战略,生产高质量、成本效益的半导体,以满足各种应用需求,并应对当今世代所面临的能源挑战。

首条高压D-Mode GaN晶体管和SiC二极管生产线已于2024年6月投入运营。下一步将是建立现代化、经济高效的200毫米SiC MOSFET和低压GaN HEMT生产线,预计将在未来两年内在汉堡工厂完成。此举还将有助于进一步实现现有基础设施的自动化,并通过转向使用200毫米晶圆来扩大硅的产能。新的研发实验室正在建设中,确保未来从研究到生产的顺畅过渡。

除了推动技术进步,Nexperia预计此举措还将刺激当地经济发展,为当地创造就业机会,增强欧盟半导体自给自足的能力。公司与大学和研究机构密切合作,共享专业知识并推动员工培训。这些合作保证了Nexperia产品持续创新,技术表现卓越。Nexperia在汉堡厂百年历史中的持续投入,凸显了其致力于保持行业领先地位并为全球客户提供创新解决方案的决心。

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