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近年来，随着人工智能计算需求的急剧增长，数据中心的能耗问题日益凸显。为满足这一巨大的处理需求，数据中心的电力消耗不断攀升，提高能效性已成当务之急。搭载人工智能的计算引擎相较于常规搜索引擎需要消耗超过10倍的电力，据预测，全球数据中心的电力需求未来将达到约1,000太瓦时（TWh），问题日益严峻。
在这个背景下，安森美推出了最新一代T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET，为数据中心应用提供了强大的解决方案。这一产品组合在更小的封装尺寸下提供了卓越的能效和卓越的热性能。采用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解决方案，数据中心可降低约1%的电力损耗。若在全球数据中心范围内推广应用，每年可减少约10太瓦时的能源消耗，相当于为数百万户家庭提供全年的用电量。
EliteSiC 650V MOSFET具有出色的开关性能和较低的器件电容，在数据中心和储能系统中实现更高的效率。相较于上一代产品，新一代碳化硅（SiC）MOSFET的栅极电荷减半，并将储存在输出电容（Eoss）和输出电荷（Qoss）中的能量减少了44%。此外，在关断时没有拖尾电流，在高温下表现优越，可显著降低开关损耗。这使得客户能够在提高工作频率的同时减小系统元件的尺寸，全面降低系统成本。
T10 PowerTrench系列专门设计用于处理DC-DC功率转换中关键的大电流，以紧凑的封装尺寸提供更高的功率密度和卓越的热性能。通过屏蔽栅极沟槽设计，该系列具有超低栅极电荷和小于1毫欧的导通电阻RDS（on）。此外，软恢复体二极管和较低的Qrr有效减少了振铃、过冲和电气噪声，保证了在应力下的最佳性能、可靠性和稳健性。本组合解决方案还符合超大规模运营商对严格的开放机架V3（ORV3）基本规范的需求，支持下一代大功率处理器的发展。如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
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