安森美T10技术：提升功率级MOSFET效率的理想选择

来源：安森美官网| 发布日期：2024-07-04 12:00:01 浏览量：

功率级内部的MOSFET在电路中扮演着至关重要的角色，其能否承受高电流并对整个系统的效率产生显著影响。在晶体管上，导通损耗和开关损耗共同构成了功率的耗散。为了在这两者之间取得平衡，需要考虑导通电阻RDS(ON)、栅极电荷以及寄生元件等主要参数。

安森美T10技术是一种用于低压和中压MOSFET的新型技术，采用屏蔽栅极沟道设计，具有超低的QG和极低的RDS(ON) < 1m特性。通过其先进的软恢复体二极管（Qrr, Trr），T10技术能够减少振铃、过冲和噪声，实现了性能和恢复特性之间的完美平衡。

T10屏蔽栅极沟槽技术主要应用于DC-DC转换领域，适用于各种需要40V和80V MOSFET的新型48V和传统12V应用。该技术旨在优化效率，降低输出电容和关键性能指标，同时实现更低的RDS(ON)和QG。例如，40V沟槽技术产品NVMFWS0D4N04XM的RDS(ON)可降至0.42mΩ，采用了紧凑的5x6封装。针对80V的选项NVBLS0D8N08X，RDS(ON)可达到0.79mΩ。对于低压FET来说，衬底电阻可能占据RDS(ON)的相当比例。

随着技术的不断进步，采用具有较低电阻率的衬底和更薄晶圆变得越来越关键。在T10技术下，安森美成功减小了晶圆的厚度，将40V MOSFET中衬底对RDS(ON)的影响从约50%降低到22%。更薄的衬底也提高了器件的热性能，进一步提升了产品的整体性能。

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