Vishay 推出第三代1200V碳化硅肖特基二极管，革新电源设计效能与可靠性

来源：Vishay官网| 发布日期：2024-07-07 18:00:04 浏览量：

全球领先的电子元器件制造商Vishay Semiconductor近日宣布，成功研发并推出了16款新型第三代1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管，这些器件采用了先进的混合PIN肖特基（MPS）结构设计，旨在提供卓越的浪涌电流保护性能，同时展现出低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流等多重优势，为开关电源设计带来前所未有的能效与可靠性提升。

创新技术，引领行业新标准

此次发布的第三代SiC二极管涵盖了从5A至40A的电流范围，采用多种封装形式，包括TO-220AC 2L、TO-247AD 2L、TO-247AD 3L插件封装以及D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。借助创新的MPS结构设计与激光退火背面减薄技术，二极管的电容电荷可低至28nC，正向压降降至1.35V，极大地降低了导通损耗。在25°C的条件下，典型反向漏电流仅为2.5µA，确保了系统在轻载和空载状态下的高能效。与传统的超快恢复二极管相比，Vishay的第三代SiC二极管几乎消除了恢复拖尾，进一步提升了系统效率。

应用广泛，适应严苛环境

这些碳化硅二极管在FBPS（Forward Boost Power Supply）和LLC转换器的AC/DC功率因数校正（PFC）及DC/DC超高频输出整流中展现出卓越性能，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器、电动工具以及数据中心等领域的应用。即使在高达+175°C的工作温度下，这些器件依然能保持稳定的性能，正向额定浪涌电流保护能力高达260A。值得一提的是，采用D2PAK 2L封装的二极管使用了高CTI≥600的塑封料，确保了在电压升高时的优异绝缘性能，为系统安全提供了坚实的保障。

高可靠性，符合行业标准

Vishay的第三代碳化硅二极管经过严格测试，展现出极高的可靠性。它们符合RoHS标准，不含卤素，并通过了2000小时的高温反偏（HTRB）测试和2000次的热循环温度循环测试，证明了其在极端条件下的持久耐用性。

Vishay此次推出的第三代1200V碳化硅肖特基二极管，以其卓越的性能和可靠性，为电源设计领域带来了革命性的突破。无论是高能效、低损耗还是在严苛环境下的稳定表现，这些新型器件都将为工程师们提供前所未有的设计自由度，推动电源技术向更高水平迈进。

附16 款新型第三代 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管型号表

附16 款新型第三代 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管型号表