英飞凌科技：第二代CoolSiC™ SiC MOSFET，引领电力转换新时代

英飞凌科技近日宣布推出其第二代CoolSiC™ 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装产品，这一系列创新器件采用了先进的D²PAK-7L(TO-263-7)封装技术，继承并超越了第一代产品的卓越性能，为电力转换系统的成本优化、效率提升和可靠性保障设立了新的行业标准。

第二代CoolSiC™ SiC MOSFET：性能再升级

新一代产品在硬开关条件和软开关拓扑中展现了显著的性能改善，适用于包括交流-直流、直流-直流、直流-交流在内的各种功率变换场景，为系统设计者提供了前所未有的灵活性与效率。

关键产品型号

- IMBG120R008M2H

- IMBG120R012M2H

- IMBG120R017M2H

- IMBG120R022M2H

- IMBG120R026M2H

- IMBG120R040M2H

- IMBG120R053M2H

- IMBG120R078M2H

- IMBG120R116M2H

- IMBG120R181M2H

- IMBG120R234M2H

产品特色与优势

-超低开关损耗：实现高效能源转换。

-高温过载能力：最高运行温度可达Tvj=200°C，适应极端工作环境。

-短路耐受性：2μs的短路耐受时间，确保系统安全。

-精确栅极阈值电压：VGS(th)=4.2V，提高控制稳定性。

-强化抗寄生开通：支持0V栅极关断，增强器件可靠性。

-坚固体二极管：优化硬换流性能。

-XT互联技术：提供同类产品中最佳的热管理能力。

应用价值

-提升能源效率：减少能量损失，延长系统寿命。

-优化热管理：提高散热效率，减少冷却需求。

-增强功率密度：实现更紧凑的设计，节省空间。

-新增稳健性功能：增强系统应对异常状况的能力。

-确保高可靠性：减少故障率，降低维护成本。

竞争优势

-最低导通电阻RDS(on)：保证最高输出能力。

-最全面的产品系列：涵盖8-234mΩ范围内的11种型号，满足多样化需求。

-卓越的过载温度承受：最高可达Tvj=200°C，扩大应用范围。

-强大的短路规格：确保系统在极端条件下依然稳定。

-优异的雪崩稳健性：提高系统整体的鲁棒性。

应用领域

-电动汽车充电基础设施：加速绿色出行的普及。

-组串式逆变器：优化太阳能发电系统的性能。

-在线式不间断电源(UPS)/工业UPS：保障关键负载的连续供电。

-通用变频驱动器(GPD)：提升工业自动化水平。

英飞凌科技的第二代CoolSiC™ SiC MOSFET，以其卓越的性能、广泛的适用性和出色的可靠性，正引领电力转换技术迈入一个崭新的时代，为全球能源转换和工业自动化领域带来革命性的变革。如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。