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在汽车电子系统中，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为驱动电磁阀等感性负载的关键组件，面临着重复雪崩电流的严峻考验。为解决这一挑战，传统电路设计通常会加入额外的保护器件，如升压拓扑或续流二极管，以确保MOSFET在负载电流持续流动时不受损害。然而，这些解决方案要么成本高昂，要么效率低下。面对这一行业痛点，Nexperia（安世半导体）推出了一款创新的ASFET（Advanced SnowAvalanche FET），为汽车应用提供了一种既经济又高效的解决方案。
Nexperia的ASFET专为承受重复雪崩电流而设计，其卓越的性能经过高达10亿次循环的严格测试，确保了长期的可靠性。这款器件通过优化的MOSFET结构，能够在重复雪崩事件中将结温控制在安全阈值175℃以下，从而避免了过热风险，延长了器件寿命。
ASFET严格遵守AEC-Q101标准，这意味着它在汽车行业的严苛环境中也能保持稳定的性能。结合Nexperia的坚固硅技术与LFPAK封装的出色热性能，ASFET能够在高负荷下保持芯片温度在安全范围内，确保了系统的稳定运行。
使用ASFET代替传统的保护方案，能够显著简化电路设计，减少物料清单（BOM）的复杂度，进而降低了整体系统成本和空间占用。与续流二极管方案相比，ASFET不仅提高了效率，还加速了开关速度，为汽车电子系统带来了更高的性能和可靠性。
作为Nexperia ASFET系列的一员，BUK9K13-60RA是一款双N沟道60V、12.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用先进的LFPAK56D封装。这款器件采用了现代沟槽技术，取代了老旧的平面技术，进一步提升了效率和开关速度。无论是从成本效益还是性能角度考量，BUK9K13-60RA都是驱动汽车感性负载的理想选择。如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
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近日，全球知名半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布计划在汉堡工厂投资2亿美元（约合1.84亿欧元），用于研发下一代宽禁带半导体产品，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），并建立生产基础设施。同时，公司还将增加硅（Si）二极管和晶体管的产能。这一重大投资是为了庆祝该工厂成立100周年，并由汉堡经济部...【详情+】
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