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英飞凌静态随机存取存储器(SRAM) 具有业界速度最快的 nvSRAM，具有无限耐久性，代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供英飞凌静态随机存取存储器(SRAM) ：简介、特征及系列。
英飞凌的 nvSRAM 产品采用 SONOS 非易失性单元，该单元基于标准 SRAM 单元构建。当正常供电时，该设备的外观和行为与标准 SRAM 类似。但是，当电源断电时，每个单元的内容可以自动存储在位于 SRAM 单元上方的非易失性元件中。该非易失性元件采用标准 CMOS 工艺技术，可获得标准 SRAM 的高性能。
SONOS 技术利用 Fowler-Nordheim 隧道 (FN 隧道) 通过将电荷捕获在夹层氮化物层中来存储数据。FN 隧道的一个关键优势是它可以大大提高 NV 耐久性并大大降低磨损速度。SONOS 技术的另一个优势是它易于集成到 CMOS 中（仅需两个额外的掩模）。这使得 NV 单元可以位于每个存储位中紧邻 6T SRAM 单元的位置，从而使 SRAM 到 NV 之间的传输全部并行进行，并且功率水平非常低。与浮栅技术不同，SONOS 存储设备可以实现更薄的栅极堆叠高度，从而实现更强的静电控制，因此也更具可扩展性。
快速访问-执行随机访问读写速度最快可达 20ns
无限耐久性 - 提供无限次写入和读取
节省空间 - 与 BBSRAM 相比，占用的电路板空间更小
耐辐射——不受辐射引起的软错误的影响
英飞凌的 nvSRAM 将赛普拉斯业界领先的 SRAM 技术与SONOS 非易失性技术相结合。英飞凌提供全面的串行和并行 nvSRAM 非易失性存储器产品组合。
英飞凌的并行 nvSRAM 是业界最快的并行非易失性 RAM 解决方案，最快访问时间为 20ns。这些产品的密度范围从 64kbit 到 16Mbit，支持 2.7V 至 5.5V 的宽电压范围。它们用于 RAID 存储、工业自动化、计算和网络等应用。我们的串行 nvSRAM 提供无限的读/写耐久性和高速读写。这些产品的密度范围从 64kbit 到 1Mbit，支持 2.7V 至 5.5V 的宽电压范围。它们用于工业控制和自动化设备以及智能电表等应用。
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