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基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，旨在提高服务器、电源、快速充电器、USB-PD以及其他电信、电机控制和工业设备中的效率和性能。
Nexperia发现，在比较MOSFET的开关性能时，除了低QG(tot)和低QGD外，Qrr（反向恢复电荷）也是一个重要的参数。通过专注于降低Qrr，Nexperia成功地减少了其NextPower系列80/100 V MOSFET产生的尖峰水平，进而降低了它们产生的电磁干扰(EMI)量。这种改进有助于减少在产品后期阶段未能通过电磁兼容性(EMC)测试而需要重新设计的情况，从而避免了添加额外外部组件所带来的高昂成本。
与市场上现有的器件相比，这些新MOSFET的导通电阻(RDS(on))降幅高达31%。Nexperia计划在今年晚些时候进一步加强其NextPower 80/100 V产品组合，发布一款新的LFPAK88 MOSFET，该器件在80 V下的RDS(on)可低至1.2 mΩ。此外，Nexperia还将在产品组合中引入功率密集型CCPAK1212。
为了支持这些器件的设计导入和验证，Nexperia提供了屡获殊荣的交互式数据手册，为工程师提供了一个全面且易于使用的工具，帮助他们分析器件的行为。设计人员可以从80 V和100 V器件中进行选择，RDS(on)选型从1.8 mΩ到15 mΩ不等，以满足不同应用的需求。
通过这些新推出的MOSFET，Nexperia旨在为客户提供高性能、高效率的解决方案，同时降低最终用户的成本和复杂性，为市场带来显著的价值。
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